N
EW
P6SMB6.8A
THRU
P6SMB200A
v
中央
描述
TM
半导体公司
单向
玻璃钝化结
瞬态电压抑制器
600瓦， 6.8 THRU 200伏
中央半导体P6SMB6.8A
系列类型表面贴装单向
玻璃钝化结瞬态电压
抑制器旨在保护电压敏感
组件由高电压瞬变。
这
制造设备与玻璃
钝化芯片，以获得最佳
可靠性。
注意：对于双向器件，请参考
该P6SMB6.8CA系列数据表。
中小型企业案例
E Y
我分贝
PCF
SEI
击穿
电压
最大额定值
（ TA = 25 ° C）
峰值功耗
峰值正向浪涌电流（ JEDEC的方法）
工作和存储
结温
电气特性
（ TA = 25 ° C）
击穿电压
工作
PEAK
型号
VBR
IT @
符号
PPM
IFSM
TJ ， TSTG
600
100
-65到+150
单位
W
A
°C
最大
反向
泄漏
@R RWM
I V
mA
最大
反向
浪涌
I
当前
RSM
最大
反向
电压
VRSM
@ IRSM
最大
温度。
系数
VBR的
记号
CODE
反向
V
电压
RWM
伏
民
P6SMB6.8A
P6SMB7.5A
P6SMB8.2A
P6SMB9.1A
P6SMB10A
P6SMB11A
P6SMB12A
P6SMB13A
P6SMB15A
P6SMB16A
P6SMB18A
P6SMB20A
6.45
7.13
7.79
8.65
9.5
10.5
11.4
12.4
14.3
15.2
17.1
19.0
喃
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
最大
7.14
7.88
8.61
9.55
10.5
11.6
12.6
13.7
15.8
16.8
18.9
21.0
mA
10
10
10
1
1
1
1
1
1
1
1
1
伏
5.8
6.4
7.02
7.78
8.55
9.4
10.2
11.1
12.8
13.6
15.3
17.1
A
57
53
50
45
41
38
36
33
28
27
24
22
伏
10.5
11.3
12.1
13.4
14.5
15.6
16.7
18.2
21.2
22.5
25.2
27.7
%/°C
0.057
0.061
0.065
0.068
0.073
0.075
0.078
0.081
0.084
0.086
0.088
0.090
C6V8A
C7V5A
C8V2A
C9V1A
C10A
C11A
C12A
C13A
C15A
C16A
C18A
C20A
1000
500
200
50
10
5
5
5
5
5
5
5
414
