飞利浦半导体
初步speci fi cation
80C51的8位微控制器 - 6时钟操作
16K / 512 OTP / ROM /无ROM ， 7通道10位A / D，I
2
C， PWM ，
捕捉/比较，高I / O， 64L LQFP
80C554/83C554/87C554
扩展数据RAM寻址
在8xC554具有被映射到四个内部数据存储器
独立的部分：低128字节RAM ，高128字节
的RAM ， 128字节特殊功能寄存器（SFR） ，和256个字节
扩展存储器（ EXTRAM ） 。
这四个扇形部分是：
1.低128字节的RAM （地址从00H到7FH）可
直接或间接寻址。
2.高位128字节的RAM （地址从80H到FFH）
只是间接寻址。
3.特殊功能寄存器，特殊功能寄存器（地址从80H到FFH ）
只能直接寻址。
4. 256字节扩展RAM （ ERAM ， 00H - FFH ）的间接
通过此举外部指令， MOVX访问，并与
EXTRAM位清零，见图4 。
低128字节可通过直接或间接的访问
寻址。高128字节可通过间接访问
只有解决。高位128字节的RAM占用相同的地址
空间的SFR 。这意味着它们具有相同的地址，但
物理上独立的SFR空间。
当一个指令访问上述地址的内部位置
7FH ，则CPU知道的访问是否是高128字节
的数据的RAM或通过在所使用的寻址方式来SFR空间
指令。使用直接寻址访问SFR的说明
空间。例如：
MOV 0A0H ， ＃数据
访问在位置0A0H的SFR （这是P2） 。指令
使用间接寻址访问高位128字节的数据RAM 。
例如：
MOV @ R0 ， ＃数据
其中， R0内容为0A0H ，访问数据字节地址0A0H ，
而不是P2（地址为0A0H ） 。
该ERAM可以通过间接寻址访问，与EXTRAM
位清零， MOVX指令。内存这部分是物理
位于芯片上，逻辑上占用的前256个字节的外部
数据存储器。
为EXTRAM = 0时， EXTRAM进行间接寻址，使用
MOVX指令结合任何的寄存器R0，R1
所选择的银行或DPTR 。到ERAM接入不会影响口
P0 ， P3.6 （ WR ＃ ）和P3.7 （ RD ＃ ） 。 P2 SFR是输出过程中扩大
内存寻址。例如，用EXTRAM = 0，
MOVX @ R0 ， ＃数据
其中， R0内容为0A0H ，访问ERAM地址0A0H
而不是外部存储器。到外部数据存储器的存取
比FFH高的位置（即0100H到FFFFH ）将被执行
以相同的方式用MOVX DPTR指令如在
标准80C51 ，所以用P0和P2作为数据/地址总线和P3.6
和P3.7用作写和读信号。请参考图5 。
随着EXTRAM = 1 ， MOVX @Ri和MOVX @DPTR将类似于
在标准80C51 。 MOVX @日将提供一个8位地址
数据复用端口0和任意输出端口的引脚可以
用于输出的高阶地址位。这是提供
外部分页功能。 MOVX @DPTR将产生一个16位的
地址。端口2输出高8位地址（该
DPH的内容），而P0口复用的低阶8
地址位（ DPL ）的数据。 MOVX @Ri和MOVX @DPTR会
生成读取或写入的P3.6 （ #WR ）和P3.7 （ #RD ）信号。
堆栈指针（SP）中的256个字节可以位于任何地方
RAM（下限和上限RAM）的内部数据存储器。该协议栈可
不设在ERAM地址空间。
AUXR
地址= 8EH
不可位寻址
—
位：
7
—
6
—
5
—
4
—
3
LVADC
2
EXTRAM
1
AO
0
复位值= XXXX x110B
符号
AO
功能
禁用/启用ALE
AO
经营模式
0
ALE在1/6的振荡频率以恒定的速率发射的。
1
只有在执行MOVX或MOVC指令ALE激活。
内部/外部RAM - 使用（ 00H FFH ）的访问MOVX @ RI / @ DPTR
EXTRAM
经营模式
0
使用内部ERAM （ 00H - FFH ）的访问MOVX @ RI / @ DPTR
1
外部数据存储器的访问。
使A / D低电压操作
LVADC
0
1
经营模式
关闭A / D电荷泵。
打开A / D电荷泵。需要4V以下操作。
EXTRAM
LVADC
—
未实现，留作将来使用* 。
注意：
*用户软件不应写1秒为保留位。这些位可以被用于在未来的8051系列产品以调用新的功能。在这
情况下，新位的复位或不活动的值为0 ，它的活跃值将是1 ，从保留位读出的值是不确定的。
SU00979A
图4. AUXR ：辅助寄存器
2000 11月10日
11
