飞利浦半导体
产品数据
80C51的8位闪存微控制器系列
16KB / 32KB / 64KB ISP / IAP闪存与512B / 1KB / 2KB / 8KB RAM
P89C660/P89C662/P89C664/
P89C668
AC电气特性（ 12时钟模式）
（续）
T
AMB
= 0 ° C至+ 70 ° C，V
CC
= 5 V
±
10 ％或-40 ° C至+ 85°C ，V
CC
= 5 V
±
5%, V
SS
= 0 V
1, 2
符号
I
2
C接口
t
HD ; STA
t
低
t
高
t
RC
t
FC
t
SU;DAT1
t
SU;DAT2
t
SU;DAT3
t
HD ; DAT
t
SU ; STA
t
SU ; STO
t
BUF
t
RD
START条件保持时间
SCL为低电平的时间
SCL高电平时间
SCL上升时间
SCL下降时间
数据建立时间
SDA建立时间（REP之前，启动待续）
SDA建立时间（停止COND前。 ）
数据保持时间
重复启动建立时间
停止条件的建立时间
总线空闲时间
SDA上升时间
≥
14 t
CLCL
≥
16 t
CLCL
≥
14 t
CLCL
≤
1
s
≤
0.3
s
≥
250纳秒
≥
250纳秒
≥
250纳秒
≥
NS 0
≥
14 t
CLCL 4
≥
14 t
CLCL 4
≥
14 t
CLCL 4
≤
1
s
7
> 4.0
s
4
> 4.7
s
4
> 4.0
s
4
–
5
＆ LT ; 0.3
s
6
> 20吨
CLCL
– t
RD
> 1
s
4
> 8吨
CLCL
> 8吨
CLCL
– t
FC
> 4.7
s
4
> 4.0
s
4
> 4.7
s
4
–
5
参数
输入
产量
t
FD
SDA下降时间
≤
300纳秒
7
＆ LT ; 0.3
s
6
注意事项：
1.参数是有效的工作温度范围和电压范围内，除非另有说明。
2.负载电容端口0 ， ALE ， PSEN和= 100 pF的负载电容为所有其它输出= 80 pF的。
3.这些值的特点，但不是100 ％生产测试。
4.在100千比特/秒。在其它的比特率该值反比于比特率的100千比特/秒。
5.通过外部总线线路电容和上拉电阻器的外部总线行测定，这必须是< 1
s.
6.尖峰上的SDA和SCL线，不足3吨的持续时间
CLCL
将被过滤掉。巴士线SDA最大电容和
SCL = 400 pF的。
7. t
CLCL
= 1/f
OSC
=在引脚XTAL1一个振荡器时钟周期。 63纳秒<吨
CLCL
< 285纳秒（ 16 MHz的> F
OSC
> 3.5兆赫）的我
2
C接口满足
I
2
C总线规范比特率高达100千比特/秒。
2002年10月28日
80
