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256 - Mbit的J3 ( X8 / X16 )
6.0
6.1
表6 。
电气规格
直流电流特性
直流电流特性(共2页1 )
VCCQ
VCC
2.7 - 3.6V
2.7 - 3.6V
典型值
最大
±1
±10
单位
A
A
V
CC
= V
CC
最大; V
CCQ
= V
CCQ
最大
V
IN
= V
CCQ
或GND
V
CC
= V
CC
最大; V
CCQ
= V
CCQ
最大
V
IN
= V
CCQ
或GND
CMOS输入,V
CC
= V
CC
最大,
设备被禁用(见
表13 , “芯片使能
事实表“第33页)
RP # = V
CCQ
± 0.2 V
TTL输入,V
CC
= V
CC
最大,
设备被禁用(见
表13) ,
RP # = V
IH
RP # = GND ± 0.2 V,I
OUT
(STS )= 0毫安
CMOS输入,V
CC
= V
CC
马克斯,V
CCQ
= V
CCQ
使用最大标准的4字页模式阅读。
设备启用(见
表13)
F = 5MHz时,我
OUT
= 0毫安
CMOS输入,V
CC
= V
CC
马克斯,V
CCQ
= V
CCQ
使用最大标准的4字页模式阅读。
设备启用(见
表13)
F = 33 MHz时,我
OUT
= 0毫安
CMOS输入,V
CC
= V
CC
马克斯,V
CCQ
=
V
CCQ
使用最多的标准8字的页面
模式读取。
设备被启用(见
表13)
F = 5MHz时,我
OUT
= 0毫安
CMOS输入,V
CC
= V
CC
马克斯,V
CCQ
=
V
CCQ
使用最多的标准8字的页面
模式读取。
30
54
mA
设备被启用(见
表13)
F = 33 MHz时,我
OUT
= 0毫安
密度: 128 , 64 ,和32兆位
CMOS输入,V
CC
= V
CC
马克斯,V
CCQ
=
V
CCQ
使用最多的标准8字的页面
模式读取。
26
46
mA
设备被启用(见
表13)
F = 33 MHz时,我
OUT
= 0毫安
密度:的256Mbit
CMOS输入,V
= V
CC
TTL输入,V
= V
CC
1,3
1
1
测试条件
笔记
符号
I
LI
I
LO
参数
输入和V
负载电流
输出漏电流
50
I
CCS
V
CC
待机电流
0.71
I
CCD
V
CC
掉电电流
50
120
A
1,2,3
2
120
mA
A
15
4-
页面
24
20
mA
29
mA
10
I
CCR
V
CC
页面模式读取
当前
15
mA
8-
页面
I
CCW
V
CC
程序或设置锁相
当前位
35
40
60
70
mA
mA
1,4
数据表
19

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