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1997年4月07
23
飞利浦半导体
表3
使用说明（注1 ）
LCD控制器/驱动器
指令
NOP
清除显示
回家
RS
0
0
0
R / W DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
0
无操作。
描述
需要
时钟
周期
(2)
0
165
3
清除整个显示器，并设置DDRAM
地址0地址计数器。
设置在地址计数器DDRAM地址0 。
也返回转向显示原来的位置。
DDRAM内容不变。
设置光标移动方向和特异性ES移
的显示。执行这些操作
在数据写入和读取。
设置的开/关（D）的整个显示，光标开/关（C）的
和光标位置的字符（B ）闪烁。
移动光标移不显示
改变DDRAM的内容。
套接口的数据长度（DL） ，数
显示行（ n，m）和电压发生器
控制（ G） 。
设置CGRAM地址。
设置DDRAM地址。
读忙标志（ BF ）表示内部
正在执行的操作，并读
地址计数器的内容。
读取CGRAM或DDRAM的数据。
写数据到CGRAM或DDRAM 。
进入模式设置
0
0
0
0
0
0
0
1
I / D
S
3
显示控制
鼠标/显示器
移
功能设定
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
DL
1
S / C
N
D
R / L
M
C
0
G
B
0
0
3
3
3
设置CGRAM
地址
设置DDRAM
地址
阅读繁忙的FL公司
和地址
读数据
写数据
笔记
0
0
0
0
0
1
0
1
BF
1
A
CG
A
DD
A
C
3
3
0
1
1
1
0
读数据
写数据
3
3
PCF2116系列
产品speci fi cation
1.在我
2
C总线模式下， DL位是不在乎。假设8位模式。
在我
2
C总线模式是必需的控制字节时， RS和R / W的变化;控制字节：钴，RS， R / W， 0，0， 0，0， 0;命令字节： DB7至DB0 。
1
2.示例：F
OSC
= 150千赫，T
cy
=
-------- = 6.67
s;
3个周期= 20
s,
165次= 1.1毫秒。
-
f
OSC
