飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
PHP20N06E
ID / A
40
TJ / C =
30
25
150
BUK453-50A
4
VGS （ TO ） / V
马克斯。
典型值。
3
分钟。
20
2
10
1
0
0
0
2
4
6
8
10 12
VGS / V
14
16
18
20
-60
-20
20
60
TJ / C
100
140
180
图7 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
） ;条件： V
DS
= 25 V ;参数T
j
GFS / S
BUK453-50A
图10 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
ID / A
亚阈值传导
8
7
1E-01
1E-02
6
5
4
3
2
1
0
1E-06
1E-04
1E-03
2%
典型值
98 %
1E-05
0
10
20
ID / A
30
40
0
1
2
VGS / V
3
4
图8 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
） ;条件： V
DS
= 25 V
a
图11 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
;条件：T已
j
= 25 ℃; V
DS
= V
GS
2.0
归一化的RDS（ON ） = F （TJ）
10000
C / pF的
BUK4y3-50
1.5
1000
西塞
1.0
科斯
100
0.5
CRSS
0
-60
-20
20
60
TJ / C
100
140
180
10
0
20
VDS / V
40
图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
一 - R的
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
); I
D
= 10 A; V
GS
= 10 V
图12 。典型的电容，C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
.
C = F（V
DS
） ;条件： V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
1996年8月
4
启1.000
