位置：首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第1038页 > PSMN030-150B > PSMN030-150B PDF资料 > PSMN030-150B PDF资料1第6页
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道的TrenchMOS 晶体管
PSMN030-150B
最大雪崩电流，I
AS
(A)
栅 - 源电压，V GS （V）的
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100 110 120 130 140 150
栅极电荷QG （ NC）
VDD = 30 V
ID = 55.5A
TJ = 25℃
100
25 C
VDD = 120 V
10
TJ前雪崩= 150℃
1
0.001
0.01
0.1
雪崩时间，t
AV
（女士）
1
10
图13 。典型导通栅极电荷特性
V
GS
= F （Q
G
)
图15 。最大允许非重复
雪崩电流（I
AS
）与雪崩时间（t
AV
);
非钳位感性负载
源极 - 漏极二极管电流IF （ A）
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
源极 - 漏极电压， VSDS （V ）
175 C
TJ = 25℃
VGS = 0 V
图14 。典型的反向二极管电流。
I
F
= F（V
SDS
） ;条件： V
GS
= 0 V ;参数T
j
2000年12月
6
启1.000
