交变三端双向可控硅
数据表
200
2.0
峰值浪涌（不重复）
通态电流（I
TSM
） - 安培
V
GT
(T
C
= 25 C)
120
100
80
60
50
40
30
20
10 A至12 A器件
8 A设备
注意事项：
1 ）栅极控制可以在丢失，
紧随其后的浪涌电流
间隔
2 ）过载不得重复进行，直到
结温已返回
稳态额定值。
1.5
V
GT
8 A TO -251
和TO- 252
6 A设备
6 A TO -251
和TO- 252
1.0
比
.5
10
8
6
5
4
3
2
0
-65
-40
-15
+25
+65
+125
电源频率： 60 Hz正弦波
负载：阻性
RMS通态电流[ IT （ RMS ） ：最大
在指定的外壳温度额定值
1
1
2
3 4 5 6
8 10
20
30 40
60 80 100
200
300
600
1000
外壳温度（T
C
) – C
浪涌电流持续时间 - 完整的周期
图E4.7归DC门极触发电压为所有象限
VERSUS外壳温度
图E4.10峰值浪涌电流与浪涌电流持续时间
（ 6 A到12 A）
1000
峰值浪涌（不重复）
通态电流（I
TSM
） - 安培
4.0
I
GT
(T
C
= 25 C)
400
300
250
200
电源频率： 60Hz的正弦
负载：阻性
RMS通态电流[I
T（ RMS ）
] ：最大
在指定的外壳温度额定值
3.0
I
GT
40 A设备
35 A设备
2.0
100
80
60
50
40
30
20
30 A设备
注意事项：
1 ）栅极控制可以在丢失，
紧随其后的浪涌电流
间隔。
2 ）过载不得重复进行，直到
结温度恢复到
稳态额定值。
比
1.0
25 A设备
16 A器件
0
-65
-40
-15
+25
+65
+125
10
1
外壳温度（T
C
) – C
10
100
1000
浪涌电流持续时间 - 完整的周期
图E4.8归DC门极触发电流为所有象限
VERSUS外壳温度
图E4.11峰值浪涌电流与浪涌电流持续时间
（ 16 A到40 A）
4.0
初始通态电流
= 400毫安DC 16 A至40 A的设备
= 100毫安直流6 12A的设备
10
I
H
(T
C
= 25 C)
典型导通
时间（t
gt
) – s
3.0
8
I
GT
= 80至100毫安
6
I
H
2.0
4
I
GT
= 50毫安
2
I
GT
= 10 mA至35毫安
比
1.0
0
-65
0
0
100
200
300
400
500
-40
-15
+25
+65
+125
外壳温度（T
C
) – C
直流门极触发电流（I
GT
） - 毫安
图E4.9归DC控股电流与外壳温度
图E4.12启时间与门极触发电流（典型值）
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