BSS 110
SIPMOS
小信号晶体管
P沟道
增强型
逻辑电平
V
GS （ TH）
= -0.8...-2.0 V
销1
S
TYPE
BSS 110
TYPE
BSS 110
BSS 110
BSS 110
销2
G
记号
SS 110
3脚
D
V
DS
-50 V
I
D
-0.17 A
R
DS （ ON）
10
包
TO-92
订购代码
Q62702-S500
Q62702-S278
Q67000-S568
磁带和卷轴信息
E6288
E6296
E6325
最大额定值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
符号
值
-50
-50
单位
V
V
DS
V
DGR
R
GS
= 20 k
门源电压
连续漏电流
V
GS
I
D
±
20
A
-0.17
T
A
= 35 °C
直流漏电流，脉冲
I
Dpuls
-0.68
T
A
= 25 °C
功耗
P
合计
0.63
W
T
A
= 25 °C
半导体集团
1
12/05/1997
