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修订概要
版本A（ 1997年7月）
初始版本。
擦除和编程性能
变化最小的100K计划和擦除周期
保证1,000,000。
版本B（ 1998年1月）
全球
格式化为与其他5.0伏才一致性
数据表。
图9 ，读操作时序
校正复位＃波形，以便它是高的
持续时间的读周期。
图11 ，芯片/扇区擦除操作时序
修正后的数据解锁周期图来55H 。
图17 ，备用CE ＃控制的程序
操作时序
纠正命令擦除扇区为30H，芯片擦除
为10H。
版本E （ 1999年1月）
全球
更新的CS39S工艺技术。
特色鲜明
补充：
s
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
直流特性， CMOS兼容
补充说明“对于CMOS模式下，我
CC3
= I
CC4
= 20 A
最大的扩展温度（ > + 85°C ）
”.
直流特性-TTL / NMOS和兼容
CMOS兼容
I
CC1
, I
CC2
, I
CC3
,
I
CC4
：补充说明2 “我最大
CC
特定网络连接的阳离子与V测试
CC
= V
CCmax
”.
I
CC3
,
I
CC4
：删除V
CC
= V
CC
马克斯。
版本C（ 1998年1月）
待机模式
在第一段提到去掉句子
RESET ＃脉冲。
行业组保护/ unprotection的，临时
业集团撤消
从“部门”为“部门小组”已更改引用。
纠正案文表示行业组由
两个相邻扇区。
版本E + 1 （ 1999年3月23日）
工作范围
的温度范围，现在被指定为环境温度。
版本E + 2 （ 1999年4月9日）
订购信息，工作范围
添加扩展级温度范围。
版本D （ 1998年5月）
特色鲜明
变更后的最低100K写入/擦除周期瓜拉尼
开球100万。
直流特性， CMOS兼容
对于我
CC3
我
CC4
，电压容差的CE ＃
和RESET ＃现在是± 0.5 V.
AC特性
擦除/编程操作;擦除和编程操作
ations备用CE＃控制写道：
纠正
指出了T参考
WHWH1
和T
WHWH2
。这些参
ETERS都经过100％测试。更正的说明参考
对于T
VCS
。这个参数不是100 ％测试。
临时机构撤消表
在t补充说明参考
VIDR
。该参数不
100 ％测试。
命令德网络nitions
纠正此消彼长的表头。
版本F（ 1999年11月15日）
交流特性 - 图11.计划
操作时序图12.芯片/扇区
擦除操作
删除吨
GHWL
并改变OE ＃波形开始
高。
物理尺寸
换成数字更详细的说明。
修订版F + 1 （ 2000年5月18日）
DC特性
TTL / NMOS兼容：该ICC2规格
现在的那些相同，在CMOS兼容。
G版（ 2000年12月4日）
补充目录。
订购信息
删除老化的选择。
2002年1月3日
Am29F080B
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