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256 - Mbit的J3 （ X8 / X16 ）
表6 。
直流电流特性（共2页2 ）
VCCQ
VCC
2.7 - 3.6V
2.7 - 3.6V
典型值
35
40
最大
70
80
10
单位
mA
mA
mA
CMOS输入，V
笔
= V
CC
TTL输入，V
笔
= V
CC
设备启用（见
表13）
1,5
1,4
测试条件
笔记
符号
I
CCE
I
CCWS
I
CCES
参数
V
CC
块擦除或清除
块锁定位电流
V
CC
程序挂起或
块擦除挂起
当前
注意事项：
1.所有电流都在RMS中，除非另有说明。这些电流适用于所有版本的产品（包装和
速度） 。联系英特尔的应用支持热线或当地销售办事处关于典型的信息
特定连接的阳离子。
2.包括STS 。
3. CMOS输入或者是V
CC
± 0.2 V或GND ± 0.2 V. TTL输入，要么是V
IL
或V
IH
.
4.采样，而不是100 ％测试。
5. I
CCWS
我
CCES
指定与所选择的设备。如果设备被读出或写入，而在擦除暂停
模式下，该器件的电流消耗是我
CCR
我
CCWS
6.2
表7中。
直流电压特性
直流电压特性
符号
V
IL
V
IH
参数
输入低电压
输入高电压
民
–0.5
2.0
最大
0.8
V
CCQ
+ 0.5
0.4
V
OL
输出低电压
0.2
0.85
×
V
CCQ
V
CCQ
–
0.2
V
笔
锁定程序时，
擦除和锁定位操作
2.2
V
V
V
V
单位
V
V
V
V
CCQ
= V
CCQ
民
I
OL
= 2毫安
V
CCQ
= V
CCQ
民
I
OL
= 100 A
V
CCQ
= V
CCQ
民
I
OH
= -2.5毫安
V
CCQ
= V
CCQ
民
I
OH
= –100 A
2,3,4,7
测试条件
笔记
2, 6
2,6
1,2
V
OH
输出高电压
1,2
V
PENLK
20
数据表
