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28F128J3A ， 28F640J3A ， 28F320J3A
6.5
AC特征 - 只读操作
(1,2)
V
CC
V
CCQ
笔记
32兆位
3.0 V–3.6 V
(3)
3.0 V–3.6 V
(3)
民
110
120
150
110
120
150
2
2
2
2, 4
32兆位
110
120
150
50
150
180
210
5
5
5
5
5
5
0
10
1000
5
5
5, 6
4
0
25
25
1000
0
30
30
0
0
55
15
0
10
1000
1000
0
0
55
15
最大
2.7 V–3.6 V
(3)
2.7 V–3.6 V
(3)
民
110
120
150
110
120
150
110
120
150
50
150
180
210
最大
版本
（单位：ns各单位，除非另有说明）
#
符号
参数
R1
t
AVAV
读/写周期时间
64兆位
128兆位
32兆位
R2
t
AVQV
地址输出延迟
64兆位
128兆位
32兆位
R3
t
ELQV
CE
X
到输出延迟
64兆位
128兆位
R4
t
GLQV
OE ＃到非数组输出延迟
R5
t
PHQV
RP ＃高到输出延迟
64兆位
128兆位
R6
R7
R8
R9
R10
R11
R12
R13
R14
R15
R16
t
ELQX
t
GLQX
t
EHQZ
t
GHQZ
t
OH
t
ELFL /
t
ELFH
t
FLQV /
t
FHQV
t
FLQZ
t
EHEL
t
APA
t
GLQV
CE
X
到输出中低Z
OE ＃到输出中低Z
CE
X
高到输出中高Z
OE ＃高到输出中高Z
从地址，CE输出保持
X
或OE ＃变化，
以先到为准科幻RST
CE
X
低BYTE ＃高或低
BYTE ＃到输出延迟
BYTE ＃到输出中高Z
CEX高至低CEX
页地址访问时间
OE ＃为阵列输出延迟
注意事项：
CE
X
低被定义为CE的第一个边缘
0
，CE
1
，或CE
2
使得装置。 CE
X
高被限定在CE的第一个边缘
0
,
CE
1
，或CE
2
禁用该设备（见
表2）。
1.见AC输入/输出参考波形的最大允许输入转换率。
2. OE ＃可能会延迟到t
ELQV
-t
GLQV
CE的第一边缘后
0
，CE
1
，或CE
2
使得装置（见
表2）
没有对T的影响
ELQV
.
3.请参阅图14-16 ，瞬态输入/输出参考波形的V
CCQ
= 3.0 V -3.6 V或V
CCQ
= 2.7 V –
3.6 V和瞬态等效的测试负载电路进行测试的特点。
4.当读取闪存阵列速度更快吨
GLQV
（ R16 ）适用。非数组读是指状态寄存器读取，
查询读取或设备标识符读取。
5.采样，而不是100 ％测试。
6.对于设备配置为标准字/字节读取方式， R15 （T
APA
）将等于R2 （T
AVQV
).
初步
45
