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28F128J3A ， 28F640J3A ， 28F320J3A
5.4
输入信号跳变 - 减少超调
下冲使用缓冲器或收发器时，
如更快速，高驱动装置，例如收发器或缓冲器驱动器的输入信号到闪存
设备，过冲和下冲有时会导致输入信号超出闪存
规格。 （请参阅第40页上的“绝对最大额定值” ）许多缓冲/收发器供应商
现在随身带内部输出阻尼电阻或降低驱动输出总线接口器件。
内部输出阻尼电阻减小额定输出驱动电流，同时还留下
足够的驱动能力对于大多数应用。这些内部输出阻尼电阻器帮助
减少不必要的过冲和下冲。收发器或缓冲器balanced-或轻
驱动器输出还可以减少过冲和下冲通过减少输出驱动电流。当
考虑缓冲/收发器接口设计到闪存，内置输出缓冲装置
电阻或减小驱动输出应该被用来减少过冲和下冲。为
更多信息，请参见对AP- 647
5伏英特尔的StrataFlash 存储器设计
指导。
5.5
V
CC
, V
笔
， RP ＃转换
块擦除，编程和锁定位配置，如果V不能保证
笔
或V
CC
外瀑布
规定的工作范围，或RP ＃
≠
V
IH
。如果RP ＃过渡到V
IL
在块擦除，
程序或锁定位配置， STS （默认情况下）将维持在较低水平的最长时间
t
PLPH
+ t
PHRH
直到复位操作完成。然后，操作终止，该装置
将进入复位/掉电模式。操作中止可能离开后，部分损坏的数据
编程或擦除或锁定位配置后局部改变。因此，块擦除
和锁定位的配置命令，必须重复恢复正常运行后。设备
断电或RP ＃ = V
IL
清除状态寄存器。
在CUI锁存由系统软件发出的指令，并且不被V改变
笔
，CE
0
，CE
1
或
CE
2
转场，或WSM行动。它的状态读取上电时阵列模式，在复位/退出后
掉电模式，或V后
CC
低于V转换
LKO
. V
CC
必须保持在或高于V
笔
在V
CC
转场。
块擦除，编程或锁定位配置后，即使在V
笔
向下过渡到V
PENLK
,
崔必须通过读阵列命令被放置在读阵列模式，如果后续访问
所述存储器阵列是理想的。 V
笔
必须保持在或低于V
CC
在V
笔
转场。
5.6
上电/下保护
该设备被设计为提供保护，防止意外块擦除，编程或锁相
在电源转换位配置。内部电路复位崔读阵列模式，
电。
系统设计人员必须警惕误写为V
CC
电压高于V
LKO
当V
笔
is
活跃的。由于WE＃必须是低，设备启用（见
表2）
对于一个写命令，驾驶
WE＃到V
IH
或禁用设备将抑制写入。崔的两个步骤的命令序列
架构提供了额外的保护，防止数据篡改。
保持V
笔
低于V
PENLK
防止意外的数据变化。在系统块锁，
解锁功能可以防止意外的编程设备。该设备被禁用
而RP ＃ = V
IL
不管它的控制输入。
初步
39
