REF19x系列
晶圆测试极限
(@ I
参数
初始精度
REF191
REF192
REF193
REF194
REF195
REF196
REF198
线路调整
负载调整率
输入输出电压差
休眠模式下的输入
逻辑输入高
逻辑输入低
电源电流
睡眠模式
符号
V
O
负载
= 0 mA时，T
A
= + 25 ° C除非另有说明）
条件
范围
2.043/2.053
2.495/2.505
2.990/3.010
4.495/4.505
4.995/5.005
3.290/3.310
4.091/4.101
(V
O
+ 0.5V） < V
IN
< 15 V，I
OUT
= 0毫安
0毫安＆ LT ;我
负载
< 30毫安，V
IN
= (V
O
+ 1.3 V)
I
负载
= 10毫安
I
负载
= 30毫安
15
15
1.25
1.55
2.4
0.8
空载
空载
45
15
单位
V
V
V
V
V
V
V
PPM / V
PPM / MA
V
V
V
V
A
A
V
O
/V
IN
V
O
/I
负载
V
O
– V+
V
IH
V
IL
V
IN
= 15 V
记
对于正确的操作，一个1
F
电容是必需的输出引脚和REF19x的GND引脚。电气测试和晶片探测到如图所示的范围。应有
以变化的装配方法和正常产量损失，包装后的产量不保证标准的产品的骰子。向厂家咨询洽谈规格
基础上，通过大量样品的组装和测试骰子很多的资格。
绝对最大额定值
1
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V， + 18V
输出到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ，V
S
+ 0.3 V
输出到GND短路持续时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。不定
存储温度范围
P，S包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
工作温度范围
REF19x 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
结温范围
P，S包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
铅温度范围（焊接60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
套餐类型
8引脚塑料DIP （ P）
8引脚SOIC （ S）
8引脚TSSOP
2
JA
JC
DICE特性
产量
6
产量
6
单位
° C / W
° C / W
° C / W
2
V+
3
睡觉
4
GND
103
158
240
43
43
43
笔记
1
绝对最大额定值适用于DICE和包装件，除非
另有说明。
2
θ
JA
被指定为最坏的情况下，即
θ
JA
对于被指定为设备插座
P- DIP和
θ
JA
被指定用于设备焊接在电路板上的SOIC封装。
REF19x模具尺寸0.041
×
0.057英寸， 2337平方米。密尔
衬底连接到V + ，晶体管数量：
双极性25 ， MOSFET4 。过程： CBCMOS1
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然REF19x具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD
预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
–14–
Rev. D的
