IRF9530 ， RF1S9530SM
数据表
1999年7月
网络文件编号
2221.4
12A ， 100V ， 0.300欧姆， P沟道功率
MOSFET的
这些是P沟道增强型硅栅
电源连接的场效晶体管。他们是高级电源
的MOSFET设计，测试并保证能经受
能在雪崩击穿特定模式网络版水平
的操作。所有这些功率MOSFET设计用于
应用，如开关稳压器，开关
变流器，电机驱动器，继电器驱动器，驱动器和高
功率双极开关需要高速的晶体管和
低栅极驱动电源。高输入阻抗，允许这些
种直接从集成电路操作。
以前发育类型TA17511 。
特点
12A ， 100V
r
DS （ ON）
= 0.300
单脉冲能量额定雪崩
SOA是功耗有限公司
纳秒的开关速度
线性传输特性
高输入阻抗
相关文献
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组件到PC板“
订购信息
产品型号
IRF9530
RF1S9530SM
包
TO-220AB
TO-263AB
BRAND
IRF9530
RF1S9530
符号
D
G
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A至
获得TO- 263AB变种在磁带和卷轴，即RF1S9530SM9A 。
S
包装
JEDEC TO- 220AB
来源
漏
门
漏极（法兰）
门
来源
JEDEC TO- 263A
漏
（法兰）
4-9
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
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版权
Intersil公司1999
