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线性光电二极管阵列
成像仪
说明（续）
图2a：光谱灵敏度曲线
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
250
350
450
550
650
750
850
950
1050
100
90
右标
80
70
60
50
40
QE （ ％ ）
响应度（V /焦耳/平方厘米
2
)
P系列成像仪结合了高性
曼斯光电二极管具有高速
CCD读出寄存器和一个高
灵敏度读出放大器。参考
图1为结构细节。
左标
30
20
10
0
光探测区
光检测区域中的P系列
成像器是连续的线性阵列
钉扎光电二极管上14微米的中心。
这些光电二极管构造
使用PerkinElmer的先进光电
二极管设计，扩展了短期波
长度灵敏度进深紫外线
低于250纳米，同时保持100％的
填充因子，并提供极
低图像延迟。这种独特的设计
也避免了在多晶硅层
光检测区域，可以减少
最CCD的量子效率
成像仪。在P系列成像仪都支持
合股的玻璃窗一般
可见使用和熔融石英窗
对于在350nm以下的紫外线的使用。
参见图2的灵敏度和
窗口的传输曲线。
对于最低的延迟，所有P系列成像仪
功能牵制光电二极管。穿针，
这需要一个特殊semiconduc-
器处理步骤，提供了一个均匀的
对于内部电压基准
充电储存在每一个光电二极管。
这种稳定的参考可以保证
每个光电二极管被完全放电
每次扫描后。
波长（nm ）
图2b ：窗口透射率曲线
100
90
80
熔融石英
传输（％）
70
60
50
40
30
20
10
0
150
250
350
450
550
650
750
850
950
1050
玻璃
波长（nm ）
覆盖着光的光电二极管
屏蔽件包括在一端或两端
成像器提供的暗电流
引用的夹紧。这些都是
从有源photodi-分离
颂歌两个非屏蔽转型
这确保均匀的响应像素
出到最后一个活动的光电二极管。
由于光泄漏的可能性
年龄，两个暗最接近像素
过渡像素不应该
作为暗基准。
图1 ：成像功能框图
N = 512为RL0512P
N = 1024的RL1024P
N = 2048的RL2048P
3
10
2
N
2
10
隔离期
暗像素（ D1 ... D10 ）
过渡像素（ T1，T2）
（ D10和T1之间的光屏蔽端）
有效像素（ 1 ，...，N ）
过渡像素（ T3，T4）
（ T4和D11之间的光屏蔽端）
暗像素（ D11 ... D20 ） （未使用的RL0512P ）
抗光晕/曝光控制门
D1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .D10
T1 T2 1 2 3
. . . . . . . . .
N-1
T3 T4 D11 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .D20
传送门
产量
2相埋沟CCD移位寄存器
{
3 CCD隔离阶段
AMP
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DSP - 101 01H - 7 / 2002W第2页
