RN1241~RN1244
东芝晶体管NPN硅外延式（ PCT程序）
RN1241,RN1242,RN1243,RN1244
对于静音和开关应用
l
高发射极 - 基极电压
: V
EBO
= 25V （最小值）
l
高反的hFE
：逆H
FE
= 150 （典型值）（V
CE
=
2V,
I
C
=
4ma)
l
低导通电阻
: R
ON
= 1U （典型值） （我
B
= 5毫安）
l
利用内置的偏置电阻
l
简化电路设计
l
减少部件数量和制造工艺的数量
单位：mm
等效电路
JEDEC
EIAJ
东芝
重量： 0.13克
―
―
2-4E1A
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
c
P
c
T
j
T
英镑
等级
50
20
25
300
300
150
55~150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
1
2001-06-07
