飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧， R2 =开放
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
R1
C
c
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入电阻
集电极电容
条件
V
CB
=
50
V ;我
E
= 0
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0; T
j
= 150
°C
V
EB
=
5
V ;我
C
= 0
V
CE
=
5
V ;我
C
=
1
mA
I
C
=
5
毫安;我
B
=
0.25
mA
分钟。
200
3.3
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10
V ; F = 1 MHz的
PDTA143TEF
典型值。
4.7
马克斯。
100
1
50
100
100
6.1
3
单位
nA
A
A
nA
mV
k
pF
10
3
手册， halfpage
的hFE
MHC026
10
3
手册， halfpage
VCEsat晶体管
（毫伏）
MHC027
(1)
(2)
(3)
10
2
10
2
(1)
(2)
(3)
10
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
10
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
V
CE
=
5
V.
(1) T
AMB
= 100
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
AMB
= 100
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
Fig.3
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.4
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值。
2002年1月15日
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