敏感的可控硅
数据表
9.0
8.0
IH
(T
C
= 25 C)
4.0
见一般注意事项具体
工作温度范围。
见一般注意事项对特定的设备
工作温度范围。
I
GT
(T
C
= 25 C)
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
3.0
I
GT
I
H
2.0
比
比
1.0
0
0
-65
-40
-15
+25
+65
+110 +125
-65
-40
-15
+25
+65
+110 +125
外壳温度（T
C
) – C
外壳温度（T
C
) – C
图E5.10归直流栅极触发电流与
外壳温度
图E5.13归DC控股电流与外壳温度
瞬时通态电流（I
T
） - 安培
32
28
24
20
16
12
8
4
0
0
.6
.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.8 A至1.5 A TO- 92 ，
T106 / T107 ，以及
COMPAK
6 A至10 A的设备
T
C
= 25C
4 A TO - 251和TO- 252
瞬时通态电压（v
T
） - 伏
图E5.11瞬时通态电流与
导通电压（典型值）
2.0
见一般注意事项具体
工作温度范围
V
GT
(T
C
= 25
C)
1.5
V
GT
1.0
比
0.5
0
-65
-40
-15
+25
+65
+110 +125
外壳温度（T
C
) –
C
图E5.12归直流栅极触发电压与
外壳温度
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