敏感的可控硅
数据表
12
平均态
功耗[P
D（ AV ）
] - 沃茨
10
电流波形：正弦半波
负载：阻性或感性
导通角： 180 °
RESET
常闭
按钮
8
6
100
+
6 V
DC
–
V1
4
D.U.T.
I
GT
I
G
1k
(1%)
IN4001
100
V
GT
R1
2
6 A至10 A
的TO-220 ，TO- 202 ，
的TO- 251和TO- 252
0
0
2
4
6
8
10
RMS通态电流[I
T（ RMS ）
] - 安培
图E5.17功耗（典型值）与RMS通态电流
图E5.19简单的测试电路门极触发电压和
电流测量
9.0
8.0
见一般注意事项对特定的设备
工作温度范围。
注： V1 - 0 V至10 V直流表
V
GT
- 0 V至1 V DC米
I
G
- 0毫安至1 mA直流毫安表
R1 - 1千电位器
为了测量门极触发电压和电流，提高栅极电压
(V
GT
），直到抄表V1从6 V至1 V门极触发下降
电压是V的读数
GT
只是之前的V1下探。触发门
蒙古包电流I
GT
可以从下面的关系来计算
V
GT
I GT = I G
–
------------安培
-
1000
在那里我
G
正在读取（安培）上表只是之前V1滴
平。
IL
（ TC = 25℃）
IL
比
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
-65
-40
-15
+25
+65
+110 +125
外壳温度（ TC ） - C
注：我
GT
可能会变成是一个负量（触发电流
从栅极引出流出） 。如果发生的负电流，我
GT
值
不是有效的阅读。删除1千电阻器，并使用我
G
随着更多
正确的我
GT
值。这将发生在12
栅极的产品。
图E5.18归直流闭锁电流与外壳温度
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