A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
页模式
VERSION
性能等级
密度
3 VOLT
符号
TWC
TCW
TAS
TAW
TBW
TWP
参数
写周期时间
片选结束
写
地址设置
时间
地址有效到
写结束
UB ＃ ， LB ＃有效
写的结束
把脉冲宽度
写恢复
时间
写输出
高-Z
数据写
时间重叠
从数据保持
发表时间
到底写
输出低Z
写高脉冲
宽度
25
0
5
7.5
ns
C
-65
32MB PSRAM
民
65
55
0
55
55
55
0
5
20k
最大
20k
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
20
0
5
7.5
ns
-60
32MB PSRAM
民
60
50
0
50
50
50
0
5
最大
20k
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
20
0
5
7.5
ns
E
-65
32MB PSRAM
民
65
60
0
60
60
50
0
5
最大
20k
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
20
0
5
7.5
ns
-70
32MB PSRAM
民
70
60
0
60
60
50
0
5
最大
20k
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写
tWR的
tWHZ
TDW
TDH
拖车
拖车
TPC
页读周期
页面地址
存取时间
页写周期
芯片选择高
脉冲宽度
25
20k
25
ns
ns
ns
ns
25
20k
25
ns
ns
ns
ns
25
20k
25
ns
ns
ns
ns
25
20k
25
ns
ns
ns
ns
其他
TPA
twpc
TCP
25
10
20k
25
10
20k
25
10
20k
25
10
20k
2004年6月8日pSRAM_Type01_12_A0
PSRAM类型1
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