S71PL254 / 127 / 064 / 032J基于MCP的
堆叠式多芯片产品（ MCP ）闪存和RAM
256M / 128 /三十二分之六十四兆位（16 /8/4 / 2M ×16位） CMOS 3.0伏只
同时操作页面模式闪存和
64/32/16/8/4兆位（ 4M / 2M / 1M / 512K / 256K ×16位）静态
RAM /伪静态RAM
数据表
特色鲜明
MCP特点
2.7至3.1伏的电源电压
高性能
= 55 ns的
- 65纳秒（ 65 ns的闪存， PSRAM为70ns ）
套餐
- 7 ×9× 1.2毫米56球FBGA
- 8 X 11.6 X 1.2毫米64球FBGA
- 8 X 11.6 X 1.4毫米84球FBGA
工作温度
- -25 ° C至+ 85°C
= -40 ° C至+ 85°C
ADVANCE
概述
该S71PL系列是堆叠式多芯片产品（ MCP ）封装产品线
和由以下组成：
一个或多个S29PL （同步读/写）闪存存储器芯片
PSRAM和SRAM
256MB的闪存由两个S29PL127J设备。在这种情况下， CE＃ f2的
用于访问所述第二闪存和没有额外的地址线是必需的。
包括在本文档中的产品列于下表：
闪存密度
32Mb
4Mb
8Mb
PSRAM
密度
16Mb
32Mb
64Mb
S71PL032J40
S71PL032J80
S71PL032JA0
S71PL064J80
S71PL064JA0
S71PL064JB0
S71PL127JA0
S71PL127JB0
S71PL127JC0
S71PL254JB0
S71PL254JC0
64Mb
128Mb
256Mb
闪存密度
32Mb
SRAM的密度（注）
4Mb
8Mb
S71PL032J04
S71PL032J08
S71PL064J08
64Mb
注意：
不建议用于新设计;使用基于PSRAM的MCP代替。
公开号
S71PL254/127/064/032J_00
调整
A
修订
6
发行日期
2004年11月22日
