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A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
t
PGMAX
第一个DDR ES s
(A4 - A 20)
t
WC
窝d比率DDR ES s
(A0 - A3 )
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PWC
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AS
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CW
CE#
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WP
WE#
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低出生体重,
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UBW
LB # , UB #
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DW
高-Z
DAT A OUT
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DH
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PDW
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PDH
t
PDW
t
PDH
图32.时序的页面模式写周期波形( ZZ # = V
IH
)
节能模式
(对于16M页面模式, 32M和64M专用)
有多个功率节省模式。
部分阵列自刷新
温度补偿刷新( 64M )
深度休眠模式
降低内存大小( 32M , 16M )
省电模式的操作由INS位的设置控制
包含在模式寄存器。模式寄存器这个定义显示在
图33
和各个位用于启用和禁用各种低
功率模式以及使页面模式操作。该模式寄存器设置
通过使用在限定的定时
图34 。
部分阵列自刷新( PAR)的
在这种操作模式中,内部刷新操作可以被限制为一
数组的16MB, 32MB, 48MB或部分。该阵列分区被刷新为
通过模式寄存器的相应位的设置决定。寄存器设定
96
S71GL064A基于MCP的
S71GL064A_00_A2 2005年2月8日

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