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A D V A N权证
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WC
地址
CE1#
低
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WR
WE＃
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磅＃
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BS
UB ＃
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DS
DQ1-8
（输入）
DQ9-16
（输入）
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DH
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BH
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AS
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BW
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WHP
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BS
地址有效
t
WC
地址有效
t
WR
t
BH
t
BW
有效的数据输入
t
DS
t
DH
有效的数据输入
注意：
该时序图假定CE2 = H和OE ＃ = H 。
图47 。
写时序＃ 3-3 （ WE＃ / ＃ LB / UB ＃字节写入控制）
t
WC
地址
CE1#
低
地址有效
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WC
地址有效
WE＃
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磅＃
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BWO
DQ1-8
（输入）
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UB ＃
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DS
DQ9-16
（输入）
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DH
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BW
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必和必拓
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DS
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DH
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BW
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有效
数据输入
有效
数据输入
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BW
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WR
t
必和必拓
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AS
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BWO
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BW
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DS
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WR
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DH
有效
数据输入
有效
数据输入
注意：
该时序图假定CE2 = H和OE ＃ = H 。
图48 。
写时序＃ 3-4（ WE＃ / ＃ LB / UB ＃字节写入控制）
2005年2月8日S71GL064A_00_A2
PSRAM类型7
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