位置:首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1760页 > S71GL064A08 > S71GL064A08 PDF资料 > S71GL064A08 PDF资料1第110页

A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
AC特性
写操作
16M
参数
写周期时间
地址建立时间
CE1 #写脉冲宽度
WE#写脉冲宽度
LB # / UB #写脉冲宽度
LB # / UB #字节掩码设置时间
LB # / UB #字节掩码保持时间
写恢复时间
CE1 #高脉冲宽度
WE#高脉冲宽度
LB # / UB #高脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
OE #高为写CE1 #低建立时间
OE #高到地址写建立时间
# LB和UB #写脉冲重叠
注意事项:
1,最大值是适用的,如果CE1 #保持在低没有任何地址变更。如果松弛是需要由系统
操作时,请联系当地的Spansion公司为代表的1μs的限制放宽。
2.最小值必须等于或大于写入脉冲的总和(叔
CW
, t
WP
或T
BW
)和写恢复时间(t
WR
).
3.写脉冲从高定义的CE1 # , WE #或# LB / UB # ,最后取其低发生转变。
4.只适用于字节掩码。字节掩码设置时间被定义为高到CE1 #低过渡或WE #为准
去年发生。
5.只适用于字节掩码。字节掩码保持时间从低到规定的CE1 #高转换或WE #为准
先发生。
6.写复苏是从低到定义的CE1 # , WE #或# LB / UB # ,先到为准高电平跳变。
7. t
WPH
最小的是设备,检测水平高的绝对最小值。并且它被限定在最小V
IH
的水平。
8.如果OE #为低后最低吨
OHCL
读周期开始。换句话说, OE #必须在被带到高为5ns内
CE1 #被带到低。一旦读周期开始,新的写入脉冲后应最少科技投入
RC
得到满足。
9.如果OE #为低后,新的地址输入,读取周期开始。换句话说, OE #必须受到高的同时
或新的地址有效之前。一旦读周期开始,新的写入脉冲后应最少科技投入
RC
满足和数据
公交车是高阻抗。
32M
马克斯。
分钟。
65
0
40
40
40
–5
–5
0
12
7.5
12
12
0
–5
0
30
马克斯。
1000
—
—
—
—
—
—
—
—
1000
1000
—
—
—
—
—
分钟。
65
0
40
40
40
–5
–5
0
12
7.5
12
12
0
–5
0
30
64M
马克斯。
1000
—
—
—
—
—
—
—
—
1000
1000
—
—
—
—
—
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
8
9
7
笔记
1,2
3
3
3
3
4
5
6
符号
t
WC
t
AS
t
CW
t
WP
t
BW
t
BS
t
BH
t
WR
t
CP
t
WHP
t
必和必拓
t
DS
t
DH
t
OHCL
t
OES
t
BWO
分钟。
70
0
45
45
45
-5
-5
0
10
7.5
10
15
0
-5
0
30
1000
—
—
—
—
—
—
—
—
1000
1000
—
—
—
—
—
108
S71GL064A基于MCP的
S71GL064A_00_A2 2005年2月8日


