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A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
擦除和编程操作， S29GL064A只有.................................. 70
图16.编程操作时序.................................. 72
图17.加速程序时序图.................... 72
图18.芯片/扇区擦除操作时序..................... 73
图19.数据＃投票计时
（在嵌入式算法） ............................................ 73
图20.触发位计时（在嵌入式算法） .. 74
图21. DQ2与DQ6 ........................................... ........... 74
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 90
功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 91
4M版本楼4M版本G， 8M型C ....................................... .... 91
字节模式..............................................................................................................91
功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 92
8M D型............................................... .................................................. 0.92
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 93
建议的直流工作条件（注1 ） ............................... 93
电容（ F = 1MHz的，T
A
=25°C) ................................................................... 93
直流工作特性............................................... ........................ 93
常见........................................................................................................... 93
直流工作特性............................................... ........................ 94
4M F版...................................................................................................94
直流工作特性............................................... ........................ 94
4M版本G ............................................... .................................................. 0.94
直流工作特性............................................... ........................ 95
8M C型............................................... .................................................. 。 95
直流工作特性............................................... ........................ 95
8M D型............................................... .................................................. 。 95
临时机构撤消............................................... .......................... 75
图22.临时机构集团撤消时序图75
图23.类别组保护和撤消时序图76
备用CE＃控制擦除和
编程操作， S29GL064A .............................................. .................... 77
图24.备用CE ＃控制的写入（擦除/编程）
操作时序................................................ .............. 79
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 0.80
类型4 PSRAM
特色： 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 81
功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 81
产品组合................................................ ................................................ 81
交流工作条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 96
测试条件................................................ .................................................. 96
图32. AC输出负载............................................ ...... 96
最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 82
经营范围................................................ ................................................. 82
表25.直流电气特性
（在工作范围） ............................................ ... 82
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 96
读/写特性（V
CC
=2.7-3.3V) ..............................................96
数据保持特性（ 4M版本F） ....................................... 97
数据保持特性（ 4M版本G ） ...................................... 98
数据保持特性（ 8M版本C） ...................................... 98
数据保持特性（ 8M版本D） ...................................... 98
时序图................................................ ................................................. 98
图33.时序读周期的波形（ 1 ） （地址控制，
CS#1=OE#=V
IL
， CS2 = WE＃ = V
IH
，瑞银和/或LB ＃ = V
IL
) ........ 98
图34.时序读周期的波形（ 2 ） （ WE＃ = V
IH
如果BYTE ＃
为低电平时，忽略瑞银/ LB ＃时序） ....................................... 99 ..
图35.定时写周期的波形（ 1 ） （WE ＃控制的，如果
BYTE ＃为低，忽略瑞银/ LB ＃时序） ............................... 99
图36.定时写周期的波形（ 2 ） （ CS ＃控制的，如果
BYTE ＃为低，忽略瑞银/ LB ＃时序） ............................. 100
图37.定时写周期的波形（ 3 ） （ UB ＃ ， LB ＃
控制） ................................................ ...................... 100
图38.数据保存波形.................................. 101
电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 83
热阻。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 83
交流测试负载和波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 83
图25.交流测试负载和波形.............................. 83
表26.开关特性...................................... 84
开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 85
图26.读周期1 （地址转换控制） .......... 85
图27.读周期2 （ OE ＃控制） ............................. 85
图28.写周期1 （ WE＃控制） ............................ 86
图29.写周期2 （ CE ＃ 1或CE2控制） ................. 87
图30.写周期3 （ WE＃控制， OE ＃低） .............. 88
图31.写周期4 （ BHE ＃ / BLE ＃控制， OE ＃低）。... 88
真值表。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 89
表27.真值表............................................. ............ 89
1型SRAM
共同特点。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 90
修订概要
6
S71GL032A基于MCP的
2005年S71GL032A_00_A0 3月31日，
