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飞利浦半导体
产品speci fi cation
CMOS单芯片8位微控制器
带有片上EEPROM
80C851/83C851
7
IFE
位
ECNTRL.7
6
EEINT
符号
IFE
5
EWP
4
––
3
2
1
0
ECNTRL3 ECNTRL2 ECNTRL1 ECNTRL0
ECNTRL.6
ECNTRL.5
ECNTRL.4
ECCTRL.3–
ECNTRL.0
EEINT
EWP
功能
高电平有效EEPROM中断标志：由音序器或软件设置;
由软件复位。
设置并启用，此标志强制中断同一个向量的
串行口中断（见中断部分） 。
EEPROM中断使能：设置和软件复位（高电平有效） 。
擦除/写操作正在进行标志：设置和由定序器复位（高电平有效） 。
当EWP设置，获得了EEPROM是不可能的。 EWP不能设置或
由软件复位。
版权所有。
请参阅下表。
ECNTRL.3
0
1
–
–
1
ECNTRL.2
0
1
–
–
0
ECNTRL.1
0
0
–
–
1
ECNTRL.0
0
0
–
–
0
手术
字节模式
行擦除
页写*
页擦除/写入*
块擦除
*未来产品。
字节模式：
阅读方式：
写模式：
普通EEPROM模式下，复位后的默认模式。在这种模式中，数据可以被读出并
写入一个字节的时间。
这是默认模式当选择字节模式。这意味着在该内容
寻址的字节是数据寄存器中。
该模式通过写入数据寄存器激活。地址寄存器必须被加载
第一。由于旧的内容首先被读取（默认情况下） ，这使得定序器来决定
擦除/写或写周期只（数据= 00H ）是否是必需的。
在这种模式中，被寻址的行被清除。 EADRL的三个LSB不显著，
即8个字节由EADRL处理将被清除，在同一时间，通常需要以清除
一个字节（T
RowErase
= t
E
= t
W
） 。对于随后的写模式，只写操作，而不是
擦除/写周期是必要的。例如，使用行擦除模式，编程的8个字节
需要吨
TOTOAL
= t
E
+ 8
×
t
W
相比与T
总
= 8
×
t
E
+ 8
×
t
W
(t
E
= t
抹去
t
W
= t
写
).
对于未来的产品。
对于未来的产品。
在这种模式下所有的256个字节被清零。包含安全位字节也将被清除。
t
BlockErase命令
= t
E
。 EADRH ， EADRL和EDAT的内容是微不足道的。
行擦除：
页写：
页擦除/写：
BLOCK ERASE ：
程序序列和寄存器的内容复位后
的EEPROM寄存器复位后的内容为默认值：
EADRH
= 1xxxxxxxB
（安全位地址）
EADRL
= 00H
（安全位地址）
ETIM
= 08H
（最小擦除时间与最低可准许振荡器频率）
ECNTRL
= 00H
（字节模式，阅读）
EDAT
= XXH
（安全位）
初始化：
阅读：
写：
删除行：
MOV ETIM ， ..
MOV EADRH ， ..
MOV EADRL ， ..
MOV ..， EDAT
MOV EADRL ， ..
MOV EDAT ， ..
MOV EADRL ， ..
行地址。 3LSBs不在乎
MOV ECNTRL ， ＃ 0CH
删除行模式
MOV EDAT ， .. （ EDAT ）不关心
擦除块： MOV ECNTRL ， 0AH
擦除块模式
MOV EDAT ， .. （ EDAT ）不关心
如果安全位要被改变时，程序一般开始如下：
MOV EADRH ， ＃ 80H
MOV EADRL ， ＃ 00H
图2中。
控制寄存器（ ECNTRL ）
8
1998年7月3日
