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飞利浦半导体
产品speci fi cation
CMOS单芯片8位微控制器
80C31/80C51/87C51
EPROM编程和VERI网络阳离子特点
T
AMB
= 21 ° C至+ 27°C ，V
CC
= 5V±10%, V
SS
= 0V （见图16）
符号
V
PP
I
PP
1/t
CLCL
t
AVGL
t
GHAX
t
DVGL
t
GHDX
t
EHSH
t
SHGL
t
GHSL
t
GLGH
t
AVQV
t
ELQZ
t
EHQZ
t
GHGL
参数
编程电压
编程电源电流
振荡器频率
地址设置到PROG低
PROG后的地址保持
数据建立到PROG低
PROG后数据保持
P2.7 （ ENABLE） HIGH到V
PP
V
PP
设置到PROG低
V
PP
持有PROG后
PROG宽度
地址到数据有效
ENABLE低到数据有效
数据浮动启用后，
PROG高到低PROG
0
10
4
48t
CLCL
48t
CLCL
48t
CLCL
48t
CLCL
48t
CLCL
10
10
90
110
48t
CLCL
48t
CLCL
48t
CLCL
s
s
s
s
民
12.5
最大
13.0
50
6
单位
V
mA
兆赫
程序设计
*
P1.0–P1.7
P2.0–P2.4
地址
验证
*
地址
t
AVQV
端口0
DATA IN
数据输出
t
DVGL
t
AVGL
ALE / PROG
t
GHDX
t
GHAX
t
GLGH
t
SHGL
t
GHGL
t
GHSL
逻辑1
EA / V
PP
逻辑0
逻辑1
t
EHSH
P2.7
启用
t
ELQV
t
EHQZ
SU00020
注意：
*
用于编程验证，见图13 。
用于验证条件，参见图15 。
图16. EPROM编程和验证
1996年8月16日
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