Si4431DY
2001年1月
Si4431DY
P沟道逻辑电平的PowerTrench
MOSFET
概述
这种P沟道逻辑电平MOSFET产生
运用
飞兆半导体
安森美半导体
先进
已特别定制的PowerTrench工艺
最大限度地减少通态电阻，但保持
出色的开关性能。
这些装置非常适用于低电压和
电池供电应用的低线供电
损耗和快速开关是必需的。
特点
-6.3 A， -30 V.
DS （ ON）
= 0.032
@ V
GS
= -10 V
R
DS （ ON）
= 0.05
@ V
GS
= -4.5 V
低栅电荷
开关速度快
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
高功率和电流处理能力
应用
DC / DC转换器
负荷开关
电机驱动
D
D
D
D
5
6
4
3
2
1
SO-8
S
S
S
G
7
8
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
评级
–30
±20
（注1A ）
单位
V
V
A
W
-6.3
-40
2.5
1.2
1.0
-55到+150
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
50
25
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
4431
设备
Si4431DY
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
2001
仙童半导体国际
Si4431DY版本A
