Si4431DY
典型特征
40
V
GS
= -10.0V
-6.0V
-I
D
，漏电流（ A）
32
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
-5.0V
-4.5V
-4.0V
24
-3.5V
16
-3.0V
2
V
GS
= -3.5V
1.8
-4.0V
1.6
-4.5V
1.4
1.2
1
0.8
0
10
20
-I
D
， DIRAIN电流（A）
30
40
-5.0V
-6.0V
-7.0V
-8.0V -9.0V
-10.0V
8
0
0
1
2
3
4
5
-V
DS
，漏源极电压（ V）
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.15
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
1.6
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
I
D
= -7A
V
GS
= -10V
I
D
= -3.6A
0.12
1.4
1.2
0.09
1
0.06
T
A
= 125 C
0.03
T
A
= 25 C
o
o
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
o
0
125
150
2
4
6
8
10
T
J
，结温（ C）
-V
GS
，门源电压（ V）
图3.导通电阻变化与
温度。
30
V
DS
= -5V
-I
D
，漏电流（ A）
25
125 C
20
15
10
5
0
1
2
3
4
5
o
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
100
-I
S
，反向漏电流（ A）
T
A
= -55 C
o
25 C
o
V
GS
= 0V
10
T
A
= 125 C
25 C
0.1
-55 C
o
o
o
1
0.01
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-V
GS
，门源电压（ V）
-V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
Si4431DY版本A
