Si7884DP
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.6
0.4
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
-0.0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-50
0
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
T
J
- 温度（℃ ）
80
I
D
= 250
mA
功率（W）的
60
100
单脉冲功率， Juncion到环境
40
20
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 55 ° C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
单脉冲
0.05
0.02
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
www.vishay.com
4
文档编号： 71855
S- 32077 -REV 。 D， 13 - OCT- 03
