Si7463DP
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
0.016
0.014
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
C
电容（pF）
0.012
0.010
0.008
0.006
0.004
0.002
0.000
0
10
20
30
40
50
60
V
GS
= 10 V
导通电阻与漏电流
8000
7000
6000
5000
4000
3000
2000
电容
V
GS
= 4.5 V
C
国际空间站
C
OSS
1000
C
RSS
0
0
8
16
24
32
40
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 18.6 A
栅极电荷
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 18.6 A
6
r
DS （ ON）
导通电阻（
W)
（归一化）
50
75
100
125
8
1.4
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
25
Q
g
总栅极电荷（ NC）
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
100
0.04
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
I
S
源电流（ A）
0.03
I
D
= 18.6 A
0.02
T
J
= 150_C
10
I
D
= 5 A
T
J
= 25_C
0.01
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72440
S- 32411 -REV 。 B， 24 - NOV- 03
www.vishay.com
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