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M2 0 0G1 24 .X LS -8
300
A
250
T
j
= 150 °C
V
GE
≥
15V
200
150
100
50
I
C
0
0
T
C
40
80
120
160
°C
图。 8额定电流与温度I
C
= F（T
C
)
M2 0 0G1 24 .X LS -9
M 20 0G1 24 .X LS -1 0
300
A
250
17V
15V
13V
11V
9V
7V
300
A
250
17V
15V
13V
11V
9V
7V
200
200
150
150
100
100
50
I
C
0
0
V
CE
1
2
3
4
V
5
50
I
C
0
0
V
CE
1
2
3
4
V
5
图。 9典型。输出特性，叔
p
= 80微秒; 25℃
图。 10典型。输出特性，叔
p
= 80微秒; 125°C
M200G124.X LS- 12
300
P
COND （T ）
= V
CESAT （T ）
· I
C（ T）
V
CESAT （T ）
= V
CE （ TO ） （ TJ ）
+ r
CE （ TJ ）
· I
C（ T）
A
250
200
V
CE （ TO ） （ TJ ）
≤
1,3 + 0,0005 (T
j
–25) [V]
典型值：R
CE （ TJ ）
= 0,0053 + 0,000017 (T
j
–25) [
]
马克斯：R
CE （ TJ ）
= 0,0077 + 0,000023 (T
j
–25) [
]
+2
有效期为V
GE
= + 15 –1
[V] ;我
C
>我0,3
cnom
150
100
50
I
C
0
0
V
GE
2
4
6
8
10
12
V
14
图。 11饱和特性（ IGBT ）
计算元素和公式
图。 12典型。转移的特点，T
p
= 80微秒; V
CE
= 20 V
由赛米控
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B 6 – 159
