SM8S系列
威世半导体
原通用半导体
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
设备类型
击穿电压
V
（ BR ）
(V)
分钟。
SM8S10
SM8S10A
SM8S11
SM8S11A
SM8S12
SM8S12A
SM8S13
SM8S13A
SM8S14
SM8S14A
SM8S15
SM8S15A
SM8S16
SM8S16A
SM8S17
SM8S17A
SM8S18
SM8S18A
SM8S20
SM8S20A
SM8S22
SM8S22A
SM8S24
SM8S24A
SM8S26
SM8S26A
SM8S28
SM8S28A
SM8S30
SM8S30A
SM8S33
SM8S33A
SM8S36
SM8S36A
SM8S40
SM8S40A
SM8S43
SM8S43A
11.1
11.1
12.2
12.2
13.3
13.3
14.4
14.4
15.6
15.6
16.7
16.7
17.8
17.8
18.9
18.9
20.0
20.0
22.2
22.2
24.4
24.4
26.7
26.7
28.9
28.9
31.1
31.1
33.3
33.3
36.7
36.7
40.0
40.0
44.4
44.4
47.8
47.8
马克斯。
13.6
12.3
14.9
13.5
16.3
14.7
17.6
15.9
19.1
17.2
20.4
18.5
21.8
19.7
23.1
20.9
24.4
22.1
27.1
24.5
29.8
26.9
32.6
29.5
35.3
31.9
38.0
34.4
40.7
36.8
44.9
40.6
48.9
44.2
54.3
49.1
58.4
52.8
测试电流
I
T
（MA ）
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
对峙
电压
V
WM
(V)
10
10
11
11
12
12
13
13
14
14
15
15
16
16
17
17
18
18
20
20
22
22
24
24
26
26
28
28
30
30
33
33
36
36
40
40
43
43
最大
反向
泄漏
在V
WM
I
D
(A)
15
15
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
最大最大。最大峰值
反向
脉冲
夹紧
泄漏
当前
电压
在V
WM
在10 / 1000μs
I
PPM
TC = 175
o
波形
V
C
I
D
(A)
250
250
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
(A)
351
388
328
363
300
332
277
307
256
284
245
270
229
254
216
239
205
226
184
204
168
186
153
170
142
157
132
145
123
136
112
124
103
114
92.4
102
86.0
95.1
(V)
18.8
17.0
20.1
18.2
22.0
19.9
23.8
21.5
25.8
23.2
26.9
24.4
28.8
26.0
30.5
27.6
32.2
29.2
35.8
32.4
39.4
35.5
43.0
38.9
46.6
42.1
50.1
45.4
53.5
48.4
59.0
53.3
64.3
58.1
71.4
64.5
76.7
69.4
注意：
对于所有类型的最大V
F
=我在1.8V
F
= 100A测量8.3ms单半正弦波或等效方波，占空比= 4个脉冲每分钟最高
www.vishay.com
2
文档编号88387
04-Jun-04
