SN8P1700
8位微控制器内置的12位ADC
工作寄存器
位置80H到RAM银行0的数据存储器中存储85H的特殊定义的寄存器，如寄存器H， L，R ，
的X， Y，Z ，下面的表中分别示出。这些寄存器可作为工作缓冲液的一般用途使用
与用于访问ROM中的并且RAM中的数据。例如，所有的ROM区中的表中的可搜索式，其中R ， X，Y和
寄存器。 RAM中存储的数据可以间接访问与H，L ，Y和Z寄存器。
内存
80H
L
读/写
81H
H
读/写
82H
R
读/写
83H
Z
读/写
84H
Y
读/写
85H
X
读/写
H， L寄存器
H和L分别为8位寄存器，具有两个主要功能。一种是使用寄存器，工作寄存器。另一种是
使用寄存器，数据指针来访问内存中的数据。即数据point_0索引缓冲器位于地址的清零处理
E6H在RAM中bank_0 。它采用H和L寄存器，以便通过ACC进行读/写数据寻址RAM的位置。
H寄存器的低4位被指向RAM的银行数量和L寄存器指向RAM的地址数，
分别。 H寄存器的高4位数据被截断在RAM中间接访问模式。
初始值= 0000 0000
081H
H
第7位
HBIT7
读/写
第6位
HBIT6
读/写
第5位
HBIT5
读/写
4位
HBIT4
读/写
第3位
HBIT3
读/写
第2位
HBIT2
读/写
第1位
HBIT1
读/写
位0
HBIT0
读/写
L的初始值= 0000 0000
080H
L
第7位
LBIT7
读/写
第6位
LBIT6
读/写
第5位
LBIT5
读/写
4位
LBIT4
读/写
第3位
LBIT3
读/写
第2位
LBIT2
读/写
第1位
LBIT1
读/写
位0
LBIT0
读/写
例如：如果要读bank_0的RAM地址20H一个数据，它可以使用间接寻址方式来
存取数据如下。
B0MOV
B0MOV
B0MOV
H, #00H
L， ＃ 20H
A，清零处理
;要设置RAM银行0 H寄存器
;设置位置为20H寄存器L
;要读取数据到ACC
例如：清除通用数据存储区0进行清零处理登记的面积。
CLR
MOV
B0MOV
CLR_HL_BUF ：
CLR
DECMS
JMP
CLR
END_CLR ：
.
.
.
.
第36页
清零处理
L
CLR_HL_BUF
清零处理
;清晰的通用数据存储区0区结束
;明确清零处理是零
; L - 1 ，如果L = 0时，结束程序
;不为零
H
A， ＃ 07FH
L，A
; H = 0 ，银行0
; L = 7FH ，数据存储区的最后地址
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修订版1.94
