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PIC16F872
3.0
数据EEPROM和闪存
程序存储器
EEPROM数据存储器允许字节读写
而不与正常操作的干扰操作
微控制器。当连接到EEPROM
数据存储器， EEADR寄存器存放地址
被访问。根据不同的操作时， EEDATA
寄存器保存的数据将被写入或读出的数据
地址在EEADR 。在PIC16F872具有64字节
EEPROM数据存储器，因此，要求该
EEADR的两个最高有效位保持清零。
在这些设备上的EEPROM数据存储器环绕
为0（即40H在EEADR映射到00H ） 。
闪存程序存储器允许非侵入性
读访问，但写操作导致设备
停止执行指令，直到写操作完成。
当连接到程序存储器中，
EEADRH ： EEADR寄存器对形成一个双字节字
保持该存储单元的13位地址
被访问。该EEDATH ： EEDATA寄存器对
保存14比特的数据写入或反映的值
后读出操作的程序存储器。正如在
EEPROM数据存储器访问，值了
EEADRH ： EEADR寄存器必须在有效
范围内程序存储器，这取决于器件
（ 0000H到07FFH ） 。此范围之外的地址
环绕到0000h （即0800H映射到0000h ） 。
数据EEPROM和闪存程序存储器的
在正常操作期间可读写
整个V
DD
范围内。这些操作发生在赎罪
GLE字节的EEPROM数据存储器和一个字
程序存储器。写操作导致
擦除后写入操作发生在试样
田间字节或字。批量擦除操作可能不
用户代码执行（其中包括移除代码
保护） 。
访问程序存储器可以进行校验calcu-
分页。写入程序存储器的值不
需要是有效的指令。因此，数字高达
至14位可被存储在存储器用作校准
化参数，序列号，打包的7位ASCII ，
等执行程序存储单元，含
数据存储无效指令时，导致该exe-
一cution
NOP
指令。
EEPROM数据存储器具有高擦/
写周期（规格＃ D120 ） 。闪存程序
程序存储器被评为低得多（规格
＃ D130 ），因为EEPROM数据存储器可用于
存储频繁更新的值。一个片内定时器
控制写入的时间，它会随电压而
温度，以及从芯片到芯片。请参考
该规范中的具体限制（规格
＃ D122和D133 ＃ ） 。
字节或字写操作会自动擦除位置
并写入新的值（在写入前擦除） 。写作
EEPROM数据存储器不会影响操作
化设备。写程序存储器会
停止指令的执行，直到写为
完整的。程序存储器不能被访问
在写。在写入操作期间，在该振荡器
器继续运行，外设继续功能
和中断的事件将被检测并
基本上是“排队”，直到写操作完成。当
写操作完成后，在管道中的下一个指令
被执行，跳转到中断向量会
走的地方，如果中断使能，并能很好地协同发生
荷兰国际集团的写操作。
读取和写入访问两个存储器发生
间接地通过一组特殊功能寄存器
（ SFR ） 。用这六个SFR为：
EEDATA
EEDATH
EEADR
EEADRH
EECON1
EECON2
3.1
EECON1和EECON2寄存器
EECON1寄存器的控制寄存器config-
uring并发起接入。 EECON2寄存器
不是实际存在的寄存器，而是使用
只在存储器写序列，以防止
意外写入。
有用于控制读出和写入许多位
操作数据EEPROM和闪存程序
内存。 EEPGD位决定访问会
是一个程序或数据存储器的访问。当清零时，任何
后续操作会工作的EEPROM数据
内存。设置时，所有后续操作将
工作在程序存储器。
读操作只使用一个额外的位， RD ，这
从所需的存储器启动读操作
位置。一旦该位被设定，该值所需的
存储器位置将在数据寄存器中可用。
该位不能由软件清零。这是automati-
美云清零在读操作结束。为
EEPROM数据存储器中读取的数据将可用
能够在非常下一条指令EEDATA寄存器
之后， RD位周期设定。对于程序存储器
读出时，数据将被加载到
EEDATH ： EEDATA寄存器，在第二次
之后， RD位指令集。
2002年Microchip的科技公司
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