位置:首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第1336页 > PIC16F872-E/SO > PIC16F872-E/SO PDF资料 > PIC16F872-E/SO PDF资料1第146页

PIC16F872
图15-11 :
1.2
I
BOR
与V
DD
过温
1.0
典型值:统计平均值@ 25°C
最大值:平均值+ 3
σ
( -40 ° C至125°C )
最低:均值 - 3
σ
( -40 ° C至125°C )
最大RESET
最大RESET
注意:
在复位器件电流
取决于振荡器模式,
频率和电路。
0.8
I
BOR
(MA )
0.6
'
0.4
典型复位
典型复位
(25°C)
(25C)
不定
状态
器件处于休眠模式
器件处于休眠模式
在设备复位
在设备复位
0.2
最大SLEEP
最大SLEEP
典型SLEEP
(25C)
典型SLEEP
(25°C)
0.0
2.0
2.2
2.5
3.0
3.5
V
DD
(V)
4.0
4.5
5.0
5.5
图15-12 :
典型的最大
I
TMR1
与V
DD
过温
(-10
°
C至+70
°
C, TIMER1了振荡器, XTAL = 32 kHz时, C1和C2 = 50 pF的)
90
80
70
典型值:统计平均值@ 25°C
最大值:平均值+ 3
σ
( -40 ° C至125°C )
最低:均值 - 3
σ
( -40 ° C至125°C )
60
I
TMR1
( A)
P
50
'
40
最大( -10 ° C)
最大( -10℃ )
30
20
典型值( 25 ° C)
典型值( 25℃)
10
0
2.0
2.5
3.0
3.5
V
DD
(V)
4.0
4.5
5.0
5.5
DS30221B第144页
2002年Microchip的科技公司