STW16NB60
N沟道600V - 0.3Ω - 16A TO- 247
的PowerMESH MOSFET
TYPE
STW16NB60
s
s
s
s
s
V
DSS
600V
R
DS （ ON）
< 0.35
I
D
16 A
典型
DS
（上） = 0.3Ω
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
非常低的固有电容
栅极电荷最小化
1
3
2
描述
采用了最新的高电压MESH OVERLAY
过程中，意法半导体设计了一个AD-
vanced系列功率MOSFET具有突出的
表演。新申请专利带布局
再加上公司的proprieraty边缘termi-
国家结构，给出每面积的最低的RDS（on ） ，
呈雪崩和dv / dt的能力和
无与伦比的栅极电荷和开关特性
抽动。
TO-247
内部原理图
应用
s
开关模式电源（ SMPS ）
s
DC -AC转换器，用于焊接
设备和不间断
电源和电机驱动器
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
dv/dt(1)
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续的）在T
C
= 25°C
漏电流（连续的）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
马克斯。工作结温
价值
600
600
±30
16
10
64
220
1.76
4
-65到150
150
(1)I
SD
≤16A,
的di / dt
≤100A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
°C
°C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
2003年4月
1/8
