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辐射特性
IRHSLNA57064
国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试，以验证其抗辐射能力。
在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。
每一个生产批次的总电离剂量测试（每个音符5和6）采用TO- 3封装。两
前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试条件
为了系统蒸发散，以提供一个直接的比较。
表1.电气特性@ TJ = 25 ° C，邮政总剂量辐射
⑦
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 3 ）
静态漏 - 源
通态电阻（ SMD - 2 ）
二极管的正向电压
高达600K拉德（SI ）
1
1000K拉德（SI ）
2
单位
民
最大
民
最大
60
2.0
—
—
—
—
—
—
—
4.0
100
-100
10
6.1
6.1
1.3
60
1.5
—
—
—
—
—
—
—
4.0
100
-100
25
7.1
7.1
1.3
V
nA
A
m
m
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 20V
V
GS
= -20 V
V
DS
=48V, V
GS
=0V
V
GS
= 12V，我
D
=45A
V
GS
= 12V，我
D
=45A
V
GS
= 0V ， IS = 45A
1.部件号IRHSLNA57064 ， IRHSLNA53064和IRHSLNA54064
2.产品编号IRHSLNA58064
国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境
单粒子效应（ SEE ） 。单粒子效应特性示于图。一及表二。
表2.单粒子效应安全工作区
⑦
离子
Kr
Xe
Au
LET
兆电子伏/ （毫克/平方厘米
2
))
39.2
63.3
86.6
能源
（兆电子伏）
300
300
2068
V
DS
(V)
范围
(m)
@V
GS
=0V @V
GS
=-5V @V
GS
=-10V @V
GS
=-15V @V
GS
=-20V
37.4
60
60
60
52
34
29.2
46
46
35
25
15
106
35
35
27
20
14
70
60
50
40
30
20
10
0
0
-5
-10
VGS
Kr
Xe
Au
VDS
-15
-20
所示的。
单粒子效应，安全工作区
对于脚注参考最后一页
www.irf.com
3
