
TA84002F
电气特性
( TA = 25 ° C,V
CC
= 5 V, V
M
= 24 V)
特征
符号
V
IN
(H)
输入电压
V
IN
(L)
I
IN
(H)
输入电流
I
IN
(L)
I
IN
(L)
I
CC1
I
CC2
I
CC3
3
4
2
PHASE ,启用,V
IN
= 5 V
相,V
IN
= GND
能,V
IN
= GND
ENABLE A / B =低
2相100%对
ENABLE A / B =低
2相100 % OFF
启用=低,
B =高
单相100%对
启用=低,
B =高
单相100 % OFF
ENABLE A / B =高
2相关
ENABLE A / B =低
2相ON
5
启用=低,
B =高
1 ,第一阶段开
ENABLE A / B =高
2相关
6
7
8
9
―
10
11
―
―
―
12
13
P沟道MOS
V
REF
= 2.5 V
VNF / VREF
V
REF
= 2.5 V , RNF = 1
T
j
I
O
= 0.5 A
I
O
= 1.0 A
I
O
= 0.5 A
I
F
= 1.0 A
I
F
= 1.0 A
1
PHASE ,启用?
TEST
税务局局长
CUIT
测试条件
民
2.0
GND
0.3 V
―
―
―
―
―
典型值。
―
―
2
0
55
110
6
最大
V
CC
+
0.3 V
0.8
20
1
100
180
14
A
单位
V
3
―
55
90
I
CC4
电源电流
I
CC5
IM1
4
―
6
14
mA
3
―
―
6
5
14
13
IM2
―
4.5
11
IM3
输出饱和电压
(下侧)的
接通电阻(上侧)的
二极管的正向电压(低侧)
二极管的正向电压(上侧)
参考电压范围
参考电流
参考分频比
当前设置
热关断温度
热关断Hysteriesis
输出漏电流
P沟道MOS驱动电流
V
SAT
1
V
SAT
2
Ron1
音频(L)的
VF (H)的
V
REF
I
REF
收益
I
SET
TSD
T
白细胞介素(H )
白细胞介素( L)
I
G
―
―
―
―
―
―
1.0
―
0.17
0.35
―
―
―
―
330
4
0.35
0.65
0.6
1.4
0.95
2.5
0.2
0.2
0.45
165
15
0
0
530
9
0.8
2.0
1.0
2.0
1.8
V
CC
0.5
5
0.23
0.55
―
―
100
50
730
A
°C
°C
A
A
V
V
V
V
A
8
2001-09-06