TAS5182
www.ti.com
SLES045E - 2002年6月 - 修订2004年5月
(1)
从表6中获得的值
针对不同的封装和PCB配置热特性
的
PowerPAD热增强型
包
应用指南（ SLMA002 ） 。对于用于这些测量的印刷电路板（PCB）的说明，请参见第32页和33 。
注意，用于这些测量的电路板不适合TAS5182应用推荐的印刷电路板，在此仅列举仅作参考。
功耗
用n个方程TAS5182功率耗散
外部MOSFET是：
P
d
= V
gd
X Q
g
X F ×N个
其中：
V
gd
= GV
DD
（典型地12V）
Q
g
= MOSFET栅极电荷
F =工作频率
N =驱动外部MOSFET的数量（ 8
双通道操作）
例如功耗计算：
给定一个TAS5182系统具有八个外部IRFIZ24N
MOSFET和GV
DD
= 12 V的功耗为：
P
d
= V
gd
X Q
g
X F X N = 12V X 22.5nC ×384千赫×8 = 0.8 W
注：实验室测量得到的功率耗散
0.8 W（ PV
DD
= 40 V).
参考文献：
1.
TAS5000
数字音频PWM过程
数据手册，
德州仪器文学数SLAS270
2.
系统设计考虑了真正的数字音频
功率放大器，
德州仪器文学
数SLAA117
3.
数字音频测量，
德州仪器
文献编号SLAA114
4.
PowerPAD热增强型封装，
得克萨斯州
仪器文学数SLMA002
散热垫
底部视图DCA
图7.查看的热增强型
DCA包装
12
