TAS5121
SLES086A - 2003年11月 - 修订2004年3月
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电气特性
PVDD_X = 30.5 V， GVDD_x = 12 V ， DVDD相连，通过一个100 Ω电阻渣， RL = 4
,
8X FS = 384千赫， TAS5026 PWM处理器，
除非另有说明
典型
符号
参数
测试条件
TA=25°C
TA=25°C
过温
TC=75°C
单位
MIN / TYP /
最大
民
最大
最大
最大
最大
最大
民
最大
典型值
典型值
民
民
最大
最大
民
最大
内部稳压器和电流消耗
V
渣
IGVDD_x
IDVDD
稳压器
总GVDD电源电流，工作
DVDD电源电流，工作
IO = 1毫安
FS = 384 kHz时，无负载，
占空比为50％
FS = 384 kHz时，无负载
TJ = 25°C
TJ = 25°C
3.3
24
1
120
120
30
5
132
132
7
Vuvp ，G
OTW
OTE
OC
欠压保护限制， GVDD
过温报警
过热错误
过电流保护
STATIC
STATIC
见注1 。
7.6
115
150
9.5
2
VIH
VIL
泄漏
高电平输入电压
低电平输入电压
输入漏电流
DVDD
0.8
10
10
OTW /关断（ SD ）
从OTW内部上拉电阻和
标清到DVDD
32
22
k
民
8.2
V
mA
mA
m
m
V
V
°C
°C
A
V
V
V
A
A
输出级的MOSFET
导通电阻， LS前进的导通电阻，低边
导通电阻， HS前进的导通电阻，高边
输入/输出保护
静态数字输入规格， PWM ，保护模式选择引脚和输出模式选择引脚
VOL
低电平输出电压
IO = 1毫安
0.4
V
最大
（1）为了优化器件性能和防止过电流（OC）保护激活时，解调滤波器的设计必须特别小心。
SEE
解调滤波器设计
在
应用信息
该数据表的部分，并考虑建议的电感器和电容器
为获得最佳性能。同样重要的是要考虑印刷电路板的设计和布局的TAS5121的最佳性能。
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