TAS5112A
SLES094A - 2003年10月 - 修订2004年3月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或处理，以防止对静电损坏MOS大门。
一般信息
端子分配
该TAS5112A提供热增强型56引脚
TSSOP DFD （热垫在上面） ，如下图所示。
DFD包装
（ TOP VIEW ）
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明（ 1 ）
TAS5112A
DVDD至DGND
GVDD到GND
PVDD_X至GND （直流电压）
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
单位
0.3 V至4.2 V
33.5 V
33.5 V
48 V
33.5 V
48 V
48 V
53 V
14.2 V
0.3 V至DVDD + 0.3 V
-40 ° C至150℃
-40_C到125_C
GND
GND
GREG
OTW
SD_CD
SD_AB
PWM_DP
PWM_DM
RESET_CD
PWM_CM
PWM_CP
DREG_RTN
M3
M2
M1
渣
PWM_BP
PWM_BM
RESET_AB
PWM_AM
PWM_AP
GND
DGND
GND
DVDD
GREG
GND
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
GND
GVDD
BST_D
PVDD_D
PVDD_D
OUT_D
OUT_D
GND
GND
OUT_C
OUT_C
PVDD_C
PVDD_C
BST_C
BST_B
PVDD_B
PVDD_B
OUT_B
OUT_B
GND
GND
OUT_A
OUT_A
PVDD_A
PVDD_A
BST_A
GVDD
GND
PVDD_X至GND （尖峰电压（ 2 ） ）
OUT_X至GND （直流电压）
OUT_X至GND （尖峰电压（ 2 ） ）
BST_X至GND （直流电压）
BST_X至GND （尖峰电压（ 2 ） ）
格雷格GND （ 3 ）
PWM_XP ， RESET ， M1 ， M2 ， M3 ， SD ，
OTW
最大工作结
温度， TJ
储存温度
（ 1 ）强调超越“绝对最大额定值”
可能对器件造成永久性损坏。这些都是强调
唯一的评分，并且在这些或任何装置的功能操作
超越那些在表示其他条件“推荐
工作条件“是不是暗示。置身于absolute-
长时间会影响器件的最大额定条件
可靠性。
（2）电压尖峰的持续时间应小于100ns ;看
应用笔记SLEA025 。
（3）格雷格被当作输入时格雷格引脚由过驱动
12五， GVDD
包装耗散额定值
包
R
θJC
（ ° C / W）
R
θJA
（ ° C / W）
56引脚TSSOP封装DFD
1.14
见注4
（ 4） TAS5112A包耐热增强型导电
冷却用裸露的金属焊盘面积。是不切实际的使用
装置与暴露于环境空气作为唯一的散热垫
该装置。
出于这个原因，R
θJA ，
特点的一个系统参数
热处理，在被提供
应用信息
部分
数据表中。一个例子和典型系统的讨论
R
θJA
在提供价值
热信息
部分。这
例中提供了关于功率的附加信息
耗散额定值。本实施例应作为一个参考
计算对于一个特定的应用程序中的热量耗散率。 TI
应用工程提供设计技术支持
如果需要散热器。
订购信息
TA
0 ° C至70℃
包
TAS5112ADFD
描述
56引脚TSSOP小
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信息，请参阅我们的网站： www.ti.com 。
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