TC125/TC126
3.0
详细说明
3.2
该TC125 / 126顷PFM升压型DC / DC稳压器的
在从两个或更多的细胞或在操作系统上使用
低电压，线路供电的应用。由于脉冲
频率调制（PFM ）是所使用的， TC125 / 126
开关频率（因此电源电流）被
最小化在低输出负载。这是特别
在电池供电应用中非常重要（如
寻呼机），该操作在待机模式中的大部分时间。
例如， TC125 / 126用3V输出和无
负载将消耗最多只有电源电流
10μA与40μA最大时的电源电流
I
OUT
= 30毫安。这两款器件仅需要一个外部
电感器，二极管和电容器，以实现一个完整的
DC / DC变换器。
该TC125推荐用于要求应用程序
关断模式下为降低系统电源的一种手段
电流。在TC125是从PS输入供电，
必须连接到作为调节输出
如图3-1所示。 PS还检测输出电压
闭环调节。启动电流配
过电感器时的输入电压是初始
应用。此操作将启动振荡器，使
电压在输入PS上涨，自举
监管机构全面运作。
在TC126 （图3-2 ）被推荐用于所有的应用程序
阳离子不需要关断模式。它有独立的
V
DD
和SENSE输入端，这允许它从供电
2.2V的任何源到10V系统中。在V
DD
输入
在TC126中，可以连接至V
IN
, V
OUT
或
外部直流电压。 V的值越低，
DD
结果
较低的电源电流，但低效率是由于较高的
开关导通电阻。较高的V
DD
值增加
电源电流，但驱动器的内部开关
晶体管更难（降低RDS
ON
） ，从而增加
EF网络效率。
行为当V
IN
较大
比工厂编程
OUT设置
在TC125和TC126被设计成作为
只有升压稳压器。这样，V
IN
假定
始终小于工厂编程的输出
电压设置（V
R
） 。操作TC125 / 126
V
IN
＆ GT ; V
R
使调节动作暂停
（和相应的供电电流减少）直至V
IN
又是小于v
R
。同时调节动作
暂停，V
IN
被连接到输出电压节点
过电感器的串联组合和
肖特基二极管。再次，必须小心，以添加
适当的隔离（ MOSFET系列交换机或交
系统的设计，如果这个V LDO在与关机）
IN
/
V
OUT
泄漏路径是有问题的。
图3-1：
L1
100μH墨田CD54
典型TC125电路
D1
MA735
1.5V
5
LX
4
GND
TC125
SHDN
ON
关闭
1
PS
2
NC
3
+
C
1
47F/16V
钽
V
OUT
3.3V @ 40毫安
关闭
控制
图3-2：
3.3V
LINE
供应
L1
100μH墨田CD54
4
LX
典型TC126电路
D1
MA735
3.1
低功耗关断模式
该TC125进入低功耗关断模式时，
SHDN为低电平。关断时，振荡器
处于关闭状态，内部开关被关断。正常
恢复时， SHDN被带到调节操作
高。由于TC125采用外部二极管，
在输入电压和输出之间的泄漏路径
节点（通过电感器和二极管）的存在，而
稳压器处于关断。必须注意系统
设计，以保证输入电源被从分离
停机过程中加载。
5
GND
TC126
SENSE
1
V
DD
2
NC
3
+
C
1
47F/16V
钽
V
OUT
5V @ 80毫安
DS21372B第4页
2002年Microchip的科技公司
