TC530/TC534
4.
计算R
INT
4.6
1.
电路设计/布局
注意事项
单独的接地回路应采用
用于模拟和数字电路。利用地面
飞机和跟踪填补模拟电路部分是
强烈建议，除了和周围
积分部分和C
REF
, C
AZ
(C
INT
,
C
REF
, C
AZ
, R
INT
） 。之间的寄生电容
这些节点和地出现在平行于
组件本身，并且可能影响
测量精度。
的电源输入不当测序
(V
DD
与V
CCD
）有可能会引起
不正确的上电顺序发生在
内部状态机。所以建议
数字电源，V
CCD
，先通电。
投保了正确的电的一种方法
序列是使用延迟模拟电源
串联电阻器和一个电容器。如图4-1所示，
TC530 / TC534典型应用。
去耦电容，优选较高的
与并行数值电解或tantulum
小的陶瓷或钽，应使用liber-
盟友。这包括旁路电源连接
的所有有源元件及所述电压系统蒸发散
参考。
关键部件应选择stabil-
性和低噪音。使用金属膜的
电阻器的R
INT
和聚丙烯或
Polyphenelyne硫醚（ PPS）的电容器。
C
INT
, C
AZ
和C
REF
强烈推荐。
的输入和积分器部分都非常高
阻抗节点。泄漏到或从这些crit-
iCal中的节点可以向测量误差。一
保护环应采用以保护集成
从流浪漏器部分。
电路组件应该是非常
干净，以防止污染的存在
从装配，搬运或清洁自身。
分钟的导电迹污染，容易
忽略在大多数应用中，可产生不利
影响的高阻抗的性能税务局局长
cuits 。的输入和积分器部分应该
被制成紧凑且靠近TC53X如
可能。
数字和其他动态信号导体
应尽可能地防止了TC53X的模拟
第越好。微控制器或其他
主机的逻辑应在测过程中保持沉默
surement周期。背景活动，如
键盘扫描，显示刷新和电源
开关可以引入噪声。
例4-3：
R
INT
= V
INMAX
/20 = 2/20 = 100k
5.
计算
INT
最大（ 4V ）集成输出
把秋千：
例4-4 ：
C
INT
= (T
INT
)(20 x 10
–6
)/ (V
S
– 0.9)
= (.066)(20 x 10
–6
)/(4.1)
= .32μF （使用最接近的值： 0.33μF ）
注意：
6.
Microchip的推荐电容：
EVOX -日发P / N ： SMR5 334K50J03L
2.
选C
REF
和C
AZ
根据转换
速度：
例4-5 ：
CONVERSIONS /秒
= 1/(T
AZ
+ T
INT
+ 2T
INT
+ 2毫秒）
= 1 /（ 66msec + 66msec + 132msec + 2毫秒）
= 3.7的转换/秒
从哪些C
AZ
= C
REF
= 0.22μF （表5-1 ）
3.
4.
注意：
7.
Microchip的推荐电容：
EVOX -日发P / N ： SMR5 224K50J02L4
计算V
REF 。
5.
例4-6 ：
V
REF
=
(V
S
– 0.9) (C
INT
) (R
INT
)
2(T
INT
)
= (4.1) (0.33 x 1
–6
) (10
5
) / 2(.066)
= 1.025V
6.
4.5
电源排序
的电源输入不当测序（Ⅴ
DD
与V
CCD
）可能会导致不正确的电
发生顺序。参见4.6节，电路设计/
布局考虑。否则，以确保适当的
上电顺序可能会导致误动作。
7.
2002年Microchip的科技公司
DS21433B第11页
