TC530/TC534
TC530 / TC530A / TC534电气规范（续）
电气特性：
V
DD
= V
CCD
, C
AZ
= C
REF
= 0.47μF ，除非另有规定。
符号
参数
民
串行端口接口
V
IH
V
IL
I
IN
V
OL
T
R
, T
F
F
XTL
F
EXT
T
RS
T
RD
T
DRS
T
PWL
T
威尔斯亲王医院
T
DR
R
OUT
F
CLK
I
OUT
输入逻辑高电平
输入逻辑低电平
输入电流
（ DI ， DO ，D
CLK
)
逻辑低输出电压
（ EOC ）
上升和下降时间
（ EOC ， DI ， DO ）
晶振频率
对OSC的外部频率
IN
阅读设置时间
读取延迟时间
D
CLK
到D
OUT
延迟
D
CLK
低脉冲宽度
D
CLK
高脉冲宽度
数据就绪延迟
输出电阻
振荡器频率
V
SS
输出电流
2.5
—
—
—
—
—
—
1
250
450
150
150
200
—
—
—
—
—
—
0.2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
65
100
—
—
0.8
10
0.3
250
2.0
4.0
—
—
—
—
—
—
85
—
10
2.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
250
—
—
1
250
450
150
150
200
—
—
—
100
—
10
2.0
4.0
—
—
0.8
—
0.35
V
V
A
V
纳秒
兆赫
兆赫
微秒
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
千赫
mA
I
OUT
= 10毫安
C
OSC
= 0
I
OUT
= 250A
C
L
= 10pF的
T
A
= +25°C
典型值
最大
T
A
= 0 ° C至+ 70°C
民
典型值
最大
单位
测试条件
多路复用器
V
IMmax
最大输入电压
R
DSON
注1 ：
2:
3:
4:
漏极/源极导通电阻
-2.5
—
—
6
2.5
10
-2.5
—
—
—
2.5
—
V
k
整合时代
≥
66msec ，汽车零时间
≥
66msec ，V
INT
（ PK） = 4V 。
端点线性度在±1 /4 ±1/ 2±四分之三， F.S.之后满量程调整。
电容器被用于C翻转错误与
INT
。见表5-2 ，对于C电容推荐
INT
.
TC534而已。
DS21433B第4页
2002年Microchip的科技公司
