TC647
5.5
泰克运行： 10.0kS / s的采样
[
T
]
输出驱动管的选择
@波形检测电阻器
1
波形@检测引脚
T
2
90mV
50mV
GND
GND
该TC647设计用于驱动一个外部晶体管
或MOSFET用于调节功率的风扇。这是
显示为Q
1
在图3-1 ， 5-1 ， 5-4 ， 5-6 ， 5-7 ， 5-8
和5-9 。在V
OUT
引脚的最小电源电流
为5mA和1 mA的最小灌电流。双极
晶体管或MOSFET可被用作电源
开关元件，如图5-7所示。当高
电流增益是需要较大的驱动风扇，2个晶体管
器可以在达林顿配置中使用。这些
电路拓扑结构示于图5-7 ： （ a）示出一
用作开关元件单个NPN晶体管;
（ b）示出的达林顿对;及（c ）示出了一个N
沟道MOSFET。
在TC647的PWM控制的一个主要优点
方案与线性速度控制是功率
耗散在通元件保持在非常低的。 Gener-
盟友，在非常小的封装成本低的设备，如
的TO- 92或SOT ，可以有效地使用。对于球迷
不超过200毫安的额定工作电流，一个
单个晶体管通常就足够了。高于200 mA时，
达林顿或MOSFET的解决方案建议。为
风扇感应功能正常工作，这是impera-
略去，该导通晶体管是完全饱和时
为“ON” 。
表5-2列出了一些常用的例子
晶体管和MOSFET 。这个表应当使用
仅作为参考，因为有许多晶体管及
MOSFET的工作，并会一样好这些上市。
当选择装置使用的关键问题
Q
1
是：（1 ）击穿电压（V
（ BR ） CEO
or
V
DS
管（MOSFET ） ）必须足够大，以承受
最高电压施加到风扇（注：这将发生
当风扇处于关闭状态） ; （ 2 ）基极驱动电流为5mA绝
足以使晶体管饱和导通时
完整的风机电流（晶体管必须有足够的
增益） ; （ 3） V
OUT
电压必须足够高以
充分驱动MOSFET的栅极，以尽量减少
R
DS （ ON）
的装置; （ 4 ）风机额定电流消耗必须的
在晶体管/ MOSFET的电流处理中
能力;和（5）的功耗必须保持
内所选择的装置的限制。
一个基本电流限制电阻是必需的双极
晶体管。这示于图5-6 。
CH1为100mV
Ch2
100mV
M5.00ms
Ch1
142mV
图5-5：
SENSE波形。
表5-1列出R的推荐值
SENSE
基于所述风扇的额定工作电流。记
由风机制造商规定的电流消耗
可以是最坏情况下的得分为近失速条件和
没有风扇的额定工作电流。中的值
表5-1是指实际平均工作电流。如果
风机电流下降2所列的数值之间，
使用较高的电阻值。就业的最终结果
ING表5-1是跨越发展的信号
检测电阻约为450 mV的幅度。
表5-1 ：
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
R
SENSE
VS.范CURRENT
R
SENSE
()
9.1
4.7
3.0
2.4
2.0
1.8
1.5
1.3
1.2
1.0
风扇额定电流（mA ）
DS21447C第12页
2002年Microchip的科技公司
