TCET1200 / TCET1200G / TCET2200
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
结电容
测试条件
I
F
= ± 50毫安
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
符号
V
F
C
j
民
典型值。
1.25
50
最大
1.6
单位
V
pF
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极 - 发射极截止电流
测试条件
I
C
= 1毫安
I
E
= 100
A
V
CE
= 20 V，I
f
= 0, E = 0
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
民
70
7
10
100
典型值。
最大
单位
V
V
nA
耦合器
参数
集电极发射极饱和
电压
截止频率
耦合电容
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安，
R
L
= 100
F = 1 MHz的
符号
V
CESAT
f
c
C
k
110
0.3
民
典型值。
最大
0.3
单位
V
千赫
pF
电流传输比
参数
I
C
/I
F
测试条件
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安
部分
TCET1200
TCET1200G
TCET1201
TCET1201G
TCET1202
TCET1202G
TCET1203
TCET1203G
TCET1204
TCET1204G
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
TCET2200
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
50
40
63
100
160
50
典型值。
最大
600
80
125
200
320
600
单位
%
%
%
%
%
%
最高安全评级
（根据DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747-5-5申请中）见图1
这个光电耦合器适用于仅在安全等级安全的电气隔离。
遵守安全评级，由适当的保护电路来保证。
输入
参数
正向电流
测试条件
符号
I
F
民
典型值。
最大
130
单位
mA
文档编号83501
修订版1.5 ， 10月26日04
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