
+ 5V TO
±
10V电压转换器
TCM680
绝对最大额定值*
V
IN .....................................................................................................
+6.0V
+
V
OUT ................................................. .............................................
+12.0V
–
V
OUT ................................................. ............................................
– 12.0V
–
V
OUT
短路持续时间连续............................
+
V
OUT
目前................................................. ........... 75毫安
V
IN
dv / dt的............................................... ............... 1V /微秒
功率耗散(T
A
≤
70°C)
塑料DIP ................................................ ...... 730mW
小外形................................................ .. 470mW
储存温度............................ - 65 ° C至+ 150°C
引线温度(焊接, 10秒) ................. + 300℃
*应力超过上述"Absolute最大Ratings"可能会导致
永久损坏设备。这些压力额定值只和
该装置的上述的那些,这些或其他条件的功能操作
在规范的操作部分表示是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下,其
时间会影响器件的可靠性。
电气特性:
V
IN
= + 5V ,T
A
= + 25 ℃,测试电路图1中,除非另有说明。
符号
参数
电源电压范围
电源电流
测试条件
分钟。
≤
T
A
≤
MAX 。 ,R
L
= 2k
V
IN
= 3V ,R
L
=
∞
V
IN
= 5V ,R
L
=
∞
V
IN
= 5V , 0 ℃,
≤
T
A
≤
+ 70°C ,R
L
=
∞
V
IN
= 5V , - 40°C
≤
T
A
≤
+ 85°C ,R
L
=
∞
–
+
I
L
= 10毫安,我
L
= 0毫安,V
IN
= 5V
–
+
I
L
= 5毫安,我
L
= 0毫安,V
IN
= 2.8V
–
+
I
L
= 10毫安,我
L
= 0毫安,V
IN
= 5V:
0°C
≤
T
A
≤
+70°C
– 40°C
≤
T
A
≤
+85°C
+
–
I
L
= 10毫安,我
L
= 0毫安,V
IN
= 5V
+
–
I
L
= 5毫安,我
L
= 0毫安,V
IN
= 2.8V
+
–
I
L
= 10毫安,我
L
= 0毫安,V
IN
= 5V:
0°C
≤
T
A
≤
+70°C
– 40°C
≤
T
A
≤
+85°C
R
L
= 2k
+
V
OUT
, R
L
=
∞
–
V
OUT
, R
L
=
∞
民
2.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
97
97
典型值
为1.5 5.5
0.5
1
—
—
140
180
—
—
140
180
—
—
21
85
99
99
最大
5.5
1
2
2.5
3
180
250
220
250
180
250
220
250
—
—
—
—
单位
V
mA
负电荷泵输出
源电阻
正电荷泵输出
源电阻
F
OSC
P
EFF
V
OUT
E
FF
振荡器频率
功率英法fi效率
电压转换效率
千赫
%
%
Telcom公司半导体公司保留在任何时间详见本手册,恕不另行通知,在电路改变或规格的权利。最小值
和最大值的保证。所有其他规范的目的是作为唯一的指导方针。 Telcom公司半导体公司对使用不承担任何责任
本文所述的任何电路和不作任何陈述,他们是不受专利侵权。
引脚说明
8-Pin
DIP / SOIC符号
1
2
3
4
5
6
7
8
–
C
1
+
C
2
–
C
2
–
V
OUT
V
IN
描述
输入。电容C1的负端。
输入。电容器C2的正端。
输入。电容器C2的负端。
输出。负输出电压( -2V
IN
).
输入。设备接地。
输入。电源电压。
输入。电容C1正端。
输出。正输出电压( + 2V
IN
)
C
1
4.7F
1
2
–
C
1
+
C
2
+
8
VOUT
+
C
1
7
+
VOUT
C
2
4.7F
6
3 C –
TCM680
V
IN
2
4
–
V OUT
GND
5
C
4
10F
+
R
L
GND
V
IN
+
C
1
+
V
OUT
GND
C
3
10F
–
R
L
–
VOUT
图1.测试电路
4-14
TELCOM半导体,INC。的