TDE1890 - TDE1891
应用信息
感性负载的退磁
一个内部的齐纳二极管，从而限制电压
在整个功率MOS ，以50 60V
(V
cl
） ，提供安全，快速退磁
感性负载，无需外部钳位器件。
可以从被吸收的最大能量
感性负载被指定为1J （在
T
j
= 85°C).
以限定的最大开关频率3
点都需要考虑：
1 ）的总功耗的总和
在退磁的国家电力和
能量乘以频率。
2）在器件的总能量W消散
在去磁周期（菲格2 ， 3 ）为：
W
=
V
cl
V
s
V
cl
– V
s
L
[I
o
–
登录
1
+
]
R
L
R
L
V
cl
– V
s
在正常情况下的工作结
温度应保持低于125℃ 。
如果去磁能量超过额定
值时，输出和+ V之间的外部钳位
S
必须从外部连接（见图5）。
外部齐纳将与V选择
齐纳
值比内部V低
cl
最小额定
值和显著（至少10V）高于
该从外部供给到销10上的电压，
即，比电源电压。
替代电路的解决方案可以实现
转移从退磁压力
TDE1890 / 1 ，如果超过1J 。在所有情况下，它是消遣
ommended至少10V可供DE-
磁化在关断阶段的负荷。
接地面之间的钳位电路
输出引脚，不推荐。一个中断而
的地之间的连接的灰
负载和TDE1890 / 1的接地将
离开TDE1890 / 1独自吸收全部
量的去磁能量。
3)
其中：
V
cl
=钳位电压;
L =感性负载;
R
L
=阻性负载;
VS =电源电压;
I
O
= I
负载
图2：
感性负载的等效电路
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